資料介紹
NextPower 80 V標準電平柵極驅動MOSFET。符合 175 °C 標準,推薦用于 高功率工業和消費類應用。 2. 特點和優勢 低 Qrr 可實現更高的效率和更低的尖峰 400 安培內徑(最大)連續額定電流 低QG×RDSon FOM,適用于高效開關應用 • • • • 強雪崩能量等級 (Eas) • 雪崩等級和 100% 測試 • 無 Ha 且符合 RoHS 標準的CCPAK1212封裝 3. 應用 • 電池保護 • 高功率全橋和半橋配置 • BLDC電機控制 • OR-ing 4. 快速參考數據 表 1.快速參考數據 象征 VDS系列 編號 Ptot(英語:Ptot) Tj 靜態特性 RDSon的 漏源開啟狀態 電阻 參數 漏源電壓 漏極電流 總功耗 Tmb = 25 °C;圖1 結溫 條件 25 °C ≤ Tj ≤ 175 °C VGS = 10 V;Tmb = 25 °C VGS = 10 V;內徑 = 25 A;Tj = 25 °C VGS = 10 V;內徑 = 25 A;Tj = 100 °C 內徑 = 25 A;VDS = 40 V;VGS = 10 V; Tj=25°C;圖2 動態特性 QGD型 QG(托特) Avalanche 堅固耐用 EDS(鋁)S 柵極漏極電荷 總門費 非重復性排水-
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