互補(bǔ) N/P 溝道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 采用小型和 采用溝槽的無引腳 DFN2020-6 （SOT1118） 表面貼裝器件 （SMD） 塑料封裝 MOSFET技術(shù)。 2. 特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì) 低閾值電壓 溝槽MOSFET技術(shù) • • 開關(guān)速度非常快 • • 小型無引腳超薄 SMD 塑料封裝：2 x 2 x 0.65 mm • 外露式排水墊，具有出色的導(dǎo)熱性能 • 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 3. 應(yīng)用 • 直流到直流轉(zhuǎn)換 • 高速線路驅(qū)動(dòng)器 • 高/低側(cè)負(fù)載開關(guān) • 開關(guān)電路 參數(shù) 4. 快速參考數(shù)據(jù) 表 1.快速參考數(shù)據(jù) 象征 TR1（N 溝道） VDS的 VGS系列 編號(hào) TR2（P 溝道） VDS的 VGS系列 編號(hào) TR1（N 溝道），靜態(tài)特性 RDSon 漏源電壓 柵源電壓 漏極電流 漏源電壓 柵源電壓 漏極電流 漏源導(dǎo)通狀態(tài) 電阻 條件 Tj = 25 °攝氏度 VGS = 4.5 V;Tamb = 25 °C Tj = 25 °攝氏度 VGS = -4.5 V;Tamb = 25 °C [1] [1] VGS = 4.5 V;內(nèi)徑 = 4.5 A;Tj = 25 °攝氏度 最小值 典型值 麥克斯 單位 - -10 - - -10 - - - - - - - - - 20 10 4.5 -20 10 -3.6 V V 一個(gè) V V 一個(gè) 26 34 mΩ 50 66 mΩ TR2（P 溝道），靜態(tài)特性 RDSon 漏源導(dǎo)通狀態(tài) 電阻 VGS = -4.5 V;內(nèi)徑 = -3.6 安;Tj = 25 °攝氏度 [1] 設(shè)備安裝在 FR4 PCB 上，單面銅，鍍錫，安裝墊，漏極 6 cm2。