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如何在降低成本的同時(shí)提高能源基礎(chǔ)設(shè)施的效率和可靠性

2077002 2022-11-24 | pdf | 303.29KB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

從電動(dòng)汽車 (EV) 充電站和太陽(yáng)能逆變器到儲(chǔ)能和不間斷電源系統(tǒng)，能源基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)計(jì)人員不斷面臨減少碳足跡、提高可靠性和降低成本的挑戰(zhàn)。從電動(dòng)汽車 (EV) 充電站和太陽(yáng)能逆變器到儲(chǔ)能和不間斷電源系統(tǒng)，能源基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)計(jì)人員不斷面臨減少碳足跡、提高可靠性和降低成本的挑戰(zhàn)。為實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，他們需要仔細(xì)研究如何優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換解決方案以減少傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗、保持良好的熱性能、減小整體外形尺寸并降低電磁干擾 (EMI)。他們還必須確保所選的解決方案能夠滿足生產(chǎn)部件批準(zhǔn)流程 (PPAP) 的要求，并符合 AEC-Q101 的要求。為實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，他們需要仔細(xì)研究如何優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換解決方案以減少傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗、保持良好的熱性能、減小整體外形尺寸并降低電磁干擾 (EMI)。他們還必須確保所選的解決方案能夠滿足生產(chǎn)部件批準(zhǔn)流程 (PPAP) 的要求，并符合 AEC-Q101 的要求。為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，設(shè)計(jì)人員可以求助于各種碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET、SiC 肖特基二極管、柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 和電源模塊。為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，設(shè)計(jì)人員可以求助于各種碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET、SiC 肖特基二極管、柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 和電源模塊。本文簡(jiǎn)要回顧了與傳統(tǒng)硅 (Si) 方法相比，SiC 技術(shù)如何提高效率和可靠性并降低成本。然后介紹了 SiC 的封裝和系統(tǒng)集成選項(xiàng)，然后介紹了本文簡(jiǎn)要回顧了與傳統(tǒng)硅 (Si) 方法相比，SiC 技術(shù)如何提高效率和可靠性并降低成本。然后介紹了 SiC 的封裝和系統(tǒng)集成選項(xiàng)，然后介紹了onsemionsemi的幾個(gè)真實(shí)示例，并展示了設(shè)計(jì)人員如何最好地應(yīng)用它們來(lái)優(yōu)化 SiC 功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器性能，以應(yīng)對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)。的幾個(gè)真實(shí)示例，并展示了設(shè)計(jì)人員如何最好地應(yīng)用它們來(lái)優(yōu)化 SiC 功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器性能，以應(yīng)對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)。碳化硅與硅碳化硅與硅SiC 是一種寬帶隙 (WBG) 材料，帶隙為 3.26 電子伏特 (eV)，而 Si 的帶隙為 1.12 eV。它還提供 10 倍的擊穿場(chǎng)能力，超過(guò) 3 倍的熱導(dǎo)率，并且可以在比 Si 高得多的溫度下工作。這些規(guī)范使 SiC 非常適合用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用（表 1）。SiC 是一種寬帶隙 (WBG) 材料，帶隙為 3.26 電子伏特 (eV)，而 Si 的帶隙為 1.12 eV。它還提供 10 倍的擊穿場(chǎng)能力，超過(guò) 3 倍的熱導(dǎo)率，并且可以在比 Si 高得多的溫度下工作。這些規(guī)范使 SiC 非常適合用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用（表 1）。特性特性硅硅4H-碳化硅4H-碳化硅帶隙能量 (eV)帶隙能量 (eV)1.121.12