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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>熱插拔控制器 IC 制造可調(diào)式斷路器

      熱插拔控制器 IC 制造可調(diào)式斷路器

      2022-11-18 | pdf | 73.44KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      這份前設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介發(fā)表在 2003 年 11 月 10 日的《這份前設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介發(fā)表在 2003 年 11 月 10 日的《電子設(shè)計(jì)電子設(shè)計(jì)》雜志上。》雜志上。范圍從 9V 到 72V 的中壓和高壓系統(tǒng)通常需要以下一種或多種電路功能：熱插拔控制、斷路器故障保護(hù)和浪涌電流限制。圖 1范圍從 9V 到 72V 的中壓和高壓系統(tǒng)通常需要以下一種或多種電路功能：熱插拔控制、斷路器故障保護(hù)和浪涌電流限制。圖 1的電路為負(fù)載（C1 和 R2）提供浪涌電流限制和可靠的斷路器功能，但僅包含一個(gè) p 溝道 MOSFET、一個(gè)熱插拔控制器 IC 和兩個(gè)可選電阻器（R1 和 R3） . 在 MOSFET 漏極處添加一個(gè)低值電阻器可提供可調(diào)跳變點(diǎn)并提高工作溫度范圍內(nèi)的精度（圖 2）。的電路為負(fù)載（C1 和 R2）提供浪涌電流限制和可靠的斷路器功能，但僅包含一個(gè) p 溝道 MOSFET、一個(gè)熱插拔控制器 IC 和兩個(gè)可選電阻器（R1 和 R3） . 在 MOSFET 漏極處添加一個(gè)低值電阻器可提供可調(diào)跳變點(diǎn)并提高工作溫度范圍內(nèi)的精度（圖 2）。圖 1. 標(biāo)準(zhǔn)斷路器應(yīng)用。圖 1. 標(biāo)準(zhǔn)斷路器應(yīng)用。圖 2. 在圖 1 的電路中添加一個(gè)跳變點(diǎn)調(diào)節(jié)電阻器 (R4) 可提高其初始精度和隨溫度變化的精度。圖 2. 在圖 1 的電路中添加一個(gè)跳變點(diǎn)調(diào)節(jié)電阻器 (R4) 可提高其初始精度和隨溫度變化的精度。對(duì)于熱插拔應(yīng)用，U1 根據(jù) 9V/mS 的典型柵極驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換速率限制浪涌電流。浪涌電流由公式 I = CdV/dT = CSR 給出，其中 C = 負(fù)載電容，SR 是壓擺率，由 U1 設(shè)置為 9V/mS（典型值）。對(duì)于 100μF 的負(fù)載電容，IC 將浪涌電流限制在大約 0.9A。對(duì)于熱插拔應(yīng)用，U1 根據(jù) 9V/mS 的典型柵極驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換速率限制浪涌電流。浪涌電流由公式 I = CdV/dT = CSR 給出，其中 C = 負(fù)載電容，SR 是壓擺率，由 U1 設(shè)置為 9V/mS（典型值）。對(duì)于 100μF 的負(fù)載電容，IC 將浪涌電流限制在大約 0.9A。U1 的斷路器功能使用內(nèi)部比較器和 MOSFET 導(dǎo)通電阻 (R
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