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附加信息：附加信息：流行的多電源總線（例如 VME、VXI 和 PCI）的背板均提供 3.3V、5V 和 ±12V（或 ±24V）的功率限制輸出。如果在這些系統中添加線卡會增加對 3.3V 或 5V 電源的要求，那么電源預算可能會決定電路從輕載 -12V 電源獲取電源。流行的多電源總線（例如 VME、VXI 和 PCI）的背板均提供 3.3V、5V 和 ±12V（或 ±24V）的功率限制輸出。如果在這些系統中添加線卡會增加對 3.3V 或 5V 電源的要求，那么電源預算可能會決定電路從輕載 -12V 電源獲取電源。下圖顯示了一個電路，該電路通過將 -12V 電源升壓至 15.3V（相對于 -12V 電源軌）從 -12V 獲得 3.3V，并提供高達 300mA 的電流。晶體管 Q2 將 3.3V 輸出電平轉換為 -10.75V 的反饋電平。下圖顯示了一個電路，該電路通過將 -12V 電源升壓至 15.3V（相對于 -12V 電源軌）從 -12V 獲得 3.3V，并提供高達 300mA 的電流。晶體管 Q2 將 3.3V 輸出電平轉換為 -10.75V 的反饋電平。該 PWM 升壓控制器 IC 通過從 VME、VXI 或 PCI 背板的輕載 -12V 電源軌生成一個補充的 3.3V 穩壓輸出，從而緩解過載的 3.3V 背板電源。該 PWM 升壓控制器 IC 通過從 VME、VXI 或 PCI 背板的輕載 -12V 電源軌生成一個補充的 3.3V 穩壓輸出，從而緩解過載的 3.3V 背板電源。該電路占用大約 6.25cm2 的 PC 板空間，并采用 PWM 升壓控制器，可在 83% 的效率水平下提供 1W 功率。該電路占用大約 6.25cm2 的 PC 板空間，并采用 PWM 升壓控制器，可在 83% 的效率水平下提供 1W 功率。由于檢測電阻器 (R 由于檢測電阻器 (R SENSESENSE ) 將峰值電流限制在 120mA 左右，n 溝道開關 MOSFET (Q1) 可以是一種廉價的邏輯電平器件。電阻器 R1 和 R2 允許將 V ) 將峰值電流限制在 120mA 左右，n 溝道開關 MOSFET (Q1) 可以是一種廉價的邏輯電平器件。電阻器 R1 和 R2 允許將 V OUTOUT選擇為 3.3V 或 5V。選擇為 3.3V 或 5V。請注意，平衡時的反饋電壓（引腳 5，由 IC1 內部比較器的跳變點確定）比 PGND 端子（引腳 7）高 1.25V。要計算適當的 R1/R2 值：請注意，平衡時的反饋電壓（引腳 5，由 IC1 內部比較器的跳變點確定）比 PGND 端子（引腳 7）高 1.25V。要計算適當的 R1/R2 值：V V FBFB
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