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歡迎場效應(yīng)晶體管（FET）的愛好者們再度光臨，閱讀“了解 MOSFET 產(chǎn)品說明書”博客系列的第四部分！今天，筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在 FET 產(chǎn)品說明書的安全工作區(qū)圖中是如何描繪它們的。產(chǎn)品說明書首頁上出現(xiàn)的脈沖電流額定值（IDM）與連續(xù)電流額定值很相似，因?yàn)樗且粋€(gè)理論上的計(jì)算值。然而，與連續(xù)電流額定值不同的是，IDM 只是作為熱約束條件（從正在標(biāo)準(zhǔn)化的 RθJC 到給定的脈沖持續(xù)時(shí)間以及“絕對最大額定值”表的腳注中明確規(guī)定的占空比）的函數(shù)被計(jì)算出來的。以最近發(fā)布的 CSD17579Q5A 30V N 通道 MOSFET 為例。該部件的產(chǎn)品說明書規(guī)定了 105A 的最大脈沖電流額定值，基本條件是脈沖持續(xù)時(shí)間小于或等于 100μs，占空比小于或等于 1％。為確定用于計(jì)算 IDM 的瞬態(tài)熱阻抗，我們將參閱下面圖 1 所示的標(biāo)準(zhǔn)化熱阻抗曲線。如果我們在脈沖持續(xù)時(shí)間為 100μs 時(shí)看 1％的占空比（棕色）線，得到的標(biāo)準(zhǔn)化因數(shù)為 0.12，我們將用它來計(jì)算最大功率，并由此計(jì)算出該器件在這樣的脈沖持續(xù)時(shí)間和占空比條件下可處理的電流。計(jì)算這個(gè)值要用 0.12 乘以最大直流（DC）RθJC（4.3?C/W），得出的瞬態(tài) ZθJC 為 0.52?C/W。
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