高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor）日前在臺北舉行的第七屆靜電放電保護技術研討會上，針對如何防止靜電放電（ESD） 所帶來的損失，從元件、制造和系統三個層級的技術面加以探討，為業界提供實質建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可以在電子元件中加強抵抗ESD的裝置。安森美半導體長期投入于研發ESD保護技術，通過先進的ESD保護技術和完整的產品系列，使電子元件具備優異的電路保護性能。 ESD是整個電子產業共同面臨的問題，影響相當廣泛，包括生產、封裝、測試、以及搬運等每個環節都會受到ESD的影響，靜電往往會累積在人體、儀器和存放設備當中，甚至電子元件本身也會累積靜電。因此所有IC都必須通過測試來檢測是否能使元件免受ESD的損害，這些測試標準包括人體放電靜電模式 （Human Body Model；HBM）、機器放電模式 （Machine Model； MM），以及與集成電路（IC）封裝大小關系密切的元件充電模式 （Charged Device Model；CDM）。安森美半導體ESD分立產品部的資深專家Robert Ashton博士，在今日的靜電放電保護技術研討會中，特別針對如何配置資源以保護ESD發表演說。Robert Ashton認為，ESD的影響廣泛，但不代表必須針對制造與設計流程，均勻的分配資源來防范 ESD的影響。事實上在元件層級的ESD保護上，耗費過多資源只為使IC通過HBM和CDM測試標準，并非明智之舉，尤其是業界應進一步探究CDM與元件封裝尺寸之間的關系。而在制造領域，廠商應隨時提高警覺并改進元件的輸送傳遞；Charged Board Event （CBE） 事件測試，可作為一個實用的測試工具，但不應發展成IC品質管理測試。在系統層級的ESD保護上，Robert Ashton強調從產品著手的重要性，他說：“ESD的控制對便攜產品來說，是必需品，不是選項，業界必須投入更多努力，讓電子元件更具備抵抗ESD的條件。目前最受國際間多數國家認同的靜電測試規范是 IEC 61000-4-2，國際組織ESDA（靜電放電保護工程學會）正著手推展和這個測試規范相關的工作，我們期待能盡快看到成熟且穩定一貫的測試方案。