氮化鎵技術的不斷進步促使設備在更高的功率、電源電壓和頻率下工作。

　　Qorvo的QPD1013晶體管采用0.50 μm GaN-on-SiC技術。它采用具有成本效益的6.6x7.2 mm DFN（雙邊扁平無引腳）封裝，與傳統的金屬陶瓷封裝相比，可以實現更簡單的PCB組裝。盡管Qorvo的GaN晶體管效率非常高，但考慮到高RF功率電平意味著即使是高效的PA，晶體管也將具有顯著功耗。由于晶體管是SMT組件，因此需要仔細設計PCB以優化熱性能。已經對兩種方法進行了評估，并報告了兩者的結果。第一種方法在晶體管的接地焊盤下使用覆銅孔陣列，第二種方法使用銅幣技術。銅幣是在制造期間嵌入到PCB中的一塊實心銅（通常稱為金屬塊），以允許從晶體管到安裝了PCB的載體的有效熱傳遞。許多PCB制造商都具有覆銅孔技術經驗，但射頻頻率下的銅幣技術還未成熟。

　　最大增益（3 臺設備）最大增益（dB） 頻率（GHz） 負載牽引測量值顯示，當以10%的占空比和100 μs脈沖寬度工作時，晶體管可提供超過52dBm 160 W） 的RF輸出功率，效率約為70%。此負載牽引數據被用作PA大信號設計的基礎。功率放大器設計 PA設計的起點是使晶體管在整個工作頻段內無條件保持穩定。必須首先確保帶內的穩定性，這通過在RF輸入端納入RC穩定網絡來實現。串聯電阻消耗的功率對于傳統SMT組件來說過高，所以使用了來自IMS的高功率氮化鋁電阻。放大器需要在40°C以下的所有頻率中無條件保持穩定，以使放大器在較廣的溫度范圍內工作。通過在偏置饋電點添加適當的RC去耦（可在設計過程中稍后添加），可以大大提高低頻段穩定性。由Qorvo提供的初始負載牽引數據用于確定1.2GHz至1.8GHz之間輸出功率和漏極效率的最佳負載阻抗。QPD1013在某些負載條件下可提供高達200W的功率，但還需要仔細考慮工作效率，以確保晶體管的工作溫度可以接受。選擇導致最高漏極效率的負載阻抗作為由輸出匹配網絡呈現的目標阻抗。相應的RF輸出功率電平仍然很高，并且更高的效率確保了可接受的熱性能。輸出匹配網絡利用帶通拓撲來滿足目標負載阻抗。高工作電壓和高RF功率電平對粗心的設計師構成潛在陷阱。保持RF軌道足夠寬以避免由于非常高的RF功率電平引起的溫度過高和潛在破壞，這非常重要。必須仔細選擇匹配電容以具有足夠的擊穿電壓，從而承受具有足量Q的直流加RF電壓擺幅，以避免過多的功耗和效率降低。使用Keysight Momentum對輸出匹配網絡的金屬件進行平面EM仿真，并結合O805 SMT組件的嵌入式高頻模型模擬多端口S 參數塊。圖3 顯示了輸出匹配網絡電路的混合EM/原理圖