資料介紹
TC4421A/TC4422A 是早先TC4421/TC4422 系列單輸
出MOSFET 驅動器的性能提升版本。這些器件是強電
流緩沖器/ 驅動器,能夠驅動大功率MOSFET 或絕緣
柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,
IGBT)。TC4421A/TC4422A 除具有匹配的輸出上升和
下降時間外,還具有匹配的上升沿和下降沿傳輸時延。
TC4421A/TC4422A 器件還具有極低的交叉導通電流,
可以降低器件的總功耗。
這些器件基本上不受任何干擾因素的影響,除非直接過
壓或功耗過大。只要在其功率和電壓范圍內,任何情況
下都不會閉鎖。當接地端的地彈反射(ground bounce)
小于等于5V 的情況下,這些器件不會受損或產生誤操
作。它們還可以承受被強制返回到輸出端的任何極性的
大于1A的感應電流,而不會造成器件損害或邏輯混亂。
另外,所有引腳都被充分地保護,能承受最高為4 kV 的
靜態放電。
TC4421A/TC4422A的輸入端可以由TTL或CMOS(3V
至18V)直接驅動。此外,輸入端有300 mV 的遲滯電
壓,可以防止噪聲干擾,并允許使用緩慢上升或下降的
波形來驅動器件。
TC4421A/TC4422A 系列的9A MOSFET 驅動器采用表
面貼裝和過孔封裝形式,并且具有寬的工作溫度范圍,
適合于大多數需要很高的門/ 線路容性驅動的應用。
出MOSFET 驅動器的性能提升版本。這些器件是強電
流緩沖器/ 驅動器,能夠驅動大功率MOSFET 或絕緣
柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,
IGBT)。TC4421A/TC4422A 除具有匹配的輸出上升和
下降時間外,還具有匹配的上升沿和下降沿傳輸時延。
TC4421A/TC4422A 器件還具有極低的交叉導通電流,
可以降低器件的總功耗。
這些器件基本上不受任何干擾因素的影響,除非直接過
壓或功耗過大。只要在其功率和電壓范圍內,任何情況
下都不會閉鎖。當接地端的地彈反射(ground bounce)
小于等于5V 的情況下,這些器件不會受損或產生誤操
作。它們還可以承受被強制返回到輸出端的任何極性的
大于1A的感應電流,而不會造成器件損害或邏輯混亂。
另外,所有引腳都被充分地保護,能承受最高為4 kV 的
靜態放電。
TC4421A/TC4422A的輸入端可以由TTL或CMOS(3V
至18V)直接驅動。此外,輸入端有300 mV 的遲滯電
壓,可以防止噪聲干擾,并允許使用緩慢上升或下降的
波形來驅動器件。
TC4421A/TC4422A 系列的9A MOSFET 驅動器采用表
面貼裝和過孔封裝形式,并且具有寬的工作溫度范圍,
適合于大多數需要很高的門/ 線路容性驅動的應用。
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