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Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252 D

2010-09-05 | rar | 344 | 次下載 | 10積分

資料介紹

Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向?qū)б齌O-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產(chǎn)品。憑借反向成型的接腳,采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產(chǎn)品反向黏著于PCB 上,即將散熱器黏著于頂部以產(chǎn)生更好的散熱效果。

由于功率應(yīng)用產(chǎn)生的熱量能散發(fā)到空氣中而非PCB 上,與采用傳統(tǒng)接腳的DPAK 功率MOSFET 相較,此類功率MOSFET 具有更小的有效接通電阻值以及更大的電流作業(yè)能力。同時,更好的散熱效果能消除電路板的熱應(yīng)力,因而提高該產(chǎn)品的整體可靠性。此款SUR 功率MOSFET 適用于桌上型計算機(jī)的核心直流變直流轉(zhuǎn)換應(yīng)用,使VRM 模塊與PC 主機(jī)板實現(xiàn)「超綠色」的設(shè)計。應(yīng)用該SUR 功率MOSFET 后,VRM 模塊與PC 主機(jī)板可更有效地利用功率,而進(jìn)一步減少所需的組件。SUR 功率MOSFET 系列產(chǎn)品,包括20VSUR70N02-04P、30VSUR50N03-06P、SUR50N03-09P、SUR50N03-12P 以及SUR50N03-16P的接通電阻值范圍為4mΩ 至16mΩ,適用于直流變直流轉(zhuǎn)換器的同步及控制FET。
Siliconix 可提供SUR 系列反向?qū)б齌renchFET 功率MOSFET 樣品及量產(chǎn)。
Intersil 兩款超小型抗熱封裝100V 半橋驅(qū)動器IC 開始供貨
Intersil 公司宣布采用新型超小抗熱封裝的HIP2100 和HIP2101 高壓半橋MOSFET 驅(qū)動器IC 現(xiàn)已開始供貨。新的8 接腳裸露片盤(EP 或E-pad)SOIC 封裝增強(qiáng)了散熱效率,而4 X 4 mm 雙扁平無鉛(DFN)封裝則使其成為超小型的100V 半橋MOSFET驅(qū)動器。該產(chǎn)品適用于電訊和數(shù)據(jù)通訊電源、航空DC/DC 轉(zhuǎn)換器、雙開關(guān)正向轉(zhuǎn)換器和主動箝位正向轉(zhuǎn)換器。采用4 × 4mm DFN 封裝的產(chǎn)品現(xiàn)已開始向客戶提供樣品,將于近期內(nèi)全面投產(chǎn)。該超小100V 半橋MOSFET 驅(qū)動器允許設(shè)計人員按照IPC-2221設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)來設(shè)計印刷電路板的布線。為確保系統(tǒng)的長期可靠性,產(chǎn)品使用指南要求高壓節(jié)點間的間距達(dá)到0.6mm。

堆棧式儲存模塊封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢
無線產(chǎn)業(yè)技術(shù)正以令人興奮的速度向前發(fā)展,市場對成本降低的無止境要求,驅(qū)動行動電話制造商不斷致力于減少電話的積和重量,而與此同時,行動電話卻需要配備大屏幕彩色顯示屏幕、照相機(jī)、視訊流、MP3 和多種下載鈴聲等等功能,新功能的出現(xiàn)直接導(dǎo)致額外內(nèi)存的大量增加,本文將展示在相同的封裝內(nèi)堆棧更多的硅組件的嶄新封裝技術(shù)及其發(fā)展趨勢。電視及視訊點播的新的應(yīng)用推動了超小型及多功能行動電話的普及,具有彩色屏幕和照相機(jī)功能的手機(jī)熱銷于全球各地市場,因此出現(xiàn)了對堆棧式內(nèi)存解決方案的需要,無線儲存模塊在全球的應(yīng)用日益普及,這一點在亞太地區(qū)尤其如此。每個行動電話制造商要求采用不同的芯片組合,當(dāng)生產(chǎn)量低的時候還不是問題,但是隨著中國大陸、臺灣地區(qū)、韓國和亞太地區(qū)行動電話制造商的迅速增加,對堆棧式封裝技術(shù)的采用,用戶定制堆棧式產(chǎn)品的模式使供應(yīng)鏈面臨更大的風(fēng)險。對于行動電話制造商而言,要在產(chǎn)品開始投產(chǎn)前準(zhǔn)確預(yù)測的內(nèi)存配置非常困難,因為激烈的市場競爭環(huán)境常迫使生產(chǎn)廠商在生產(chǎn)前最后一刻對產(chǎn)品軟件及性能加以改變。要減少行動電話制造商的風(fēng)險,業(yè)界需要來調(diào)整商業(yè)模式,使堆棧式組件更為標(biāo)準(zhǔn)而且更利于業(yè)務(wù)的拓展。為將堆棧式內(nèi)存產(chǎn)品以更快的速度投入市場,英特爾開發(fā)了一種稱為‘分層封裝’的方法,該方法對一組通過預(yù)先品質(zhì)檢驗的產(chǎn)品,按照行動電話制造商的需要進(jìn)行迅速配置和分層封裝,因而為行動電話制造商提供了更大的靈活性,使他們能夠推出更多種類的產(chǎn)品。分層封裝內(nèi)的內(nèi)存都使用相同的標(biāo)準(zhǔn)占位空間,因此,行動電話制造商就有可能對幾種型號手機(jī)和配置采用相同的電路板。

封裝堆棧技術(shù)
無線原始設(shè)備制造商始終在尋找一種減少功耗和尺寸的同時增加內(nèi)存密度和性能的方法,人們稱之為2M/2m 法則,我們的目標(biāo)是使m 更小時M 更大。在這種情況下,它就意味著在減少功耗(milliwatt)和包裝尺寸(millimeter)的同時,增加處理速度(MIPs)和內(nèi)存容量(Mb)。

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