IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL超低功耗CMOS靜態(tài)RAM詳細(xì)資料概述
資料介紹
ISSI IS62WV51216ALU/IS62WV51216BLL是高速、8M位靜態(tài)RAM,由512K字組成,由16位組成。它是利用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制作的。這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合,產(chǎn)生高性能和低功耗的設(shè)備。
當(dāng)CS1為高(取消選擇)或當(dāng)CS2為低(取消選擇)或當(dāng)CS1為低時(shí),CS2為高電平且LB和UB均為高電平時(shí),該器件承擔(dān)待機(jī)模式,在該待機(jī)模式下,隨著CMOS輸入電平的降低,功耗可以降低。
通過使用芯片使能和輸出使能輸入提供容易的存儲(chǔ)器擴(kuò)展。主動(dòng)低寫使能(WE)控制存儲(chǔ)器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許高位字節(jié)(UB)和Lower Byte(LB)訪問。
IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封裝在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)48引腳迷你BGA(7.2mm×87.mm)和44引腳TSOP(II型)中。
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