功耗管理模式：

　　? 可選擇的功耗管理模式采用 nanoWatt XLP 技術(shù)實現(xiàn)極低

　　功耗：

　　- 深度休眠模式支持近乎完全掉電 （典型值為 20 nA，

　　使能 RTCC 或 WDT 時為 500 nA），并可通過外部觸

　　發(fā)喚醒，或通過可編程 WDT 或 RTCC 鬧鐘自喚醒

　　- 對于深度休眠模式使用極低功耗 DSBOR，對于所有

　　其他模式使用 LPBOR

　　- 休眠模式會關(guān)閉外設(shè)和內(nèi)核，可顯著降低功耗和快

　　速喚醒

　　- 空閑模式會關(guān)閉 CPU 和外設(shè)，可顯著降低功耗（典

　　型值低至 4.5 μA）

　　- 打盹模式支持 CPU 時鐘以低于外設(shè)的速度運行

　　- 備用時鐘模式支持在運行時切換為較低的時鐘速

　　度，可在運行模式期間選擇性地降低功耗 （典型值

　　低至 15 μA）

　　高性能 CPU：

　　? 改進(jìn)型哈佛架構(gòu)

　　? 32 MHz 時最高 16 MIPS 工作速度

　　? 8 MHz 內(nèi)部振蕩器具有：

　　- 4 倍頻 PLL 選項

　　- 多個分頻選項

　　? 17 位 x 17 位單周期硬件小數(shù) / 整數(shù)乘法器

　　? 32 位 /16 位硬件除法器

　　? 16 x 16 位工作寄存器陣列

　　? 優(yōu)化的 C 編譯器指令集架構(gòu)：

　　- 76 條基本指令

　　- 靈活的尋址模式

　　? 可尋址最大 12 MB 的線性程序存儲空間

　　? 可尋址最大 64 KB 的線性數(shù)據(jù)存儲空間

　　? 兩個地址發(fā)生單元，分別用于數(shù)據(jù)存儲器的讀和寫尋址

　　單片機特性：

　　? 工作電壓范圍為 2.0V 至 3.6V

　　? 可在軟件控制下自編程

　　? 可承受 5.5V 輸入電壓 （僅對于數(shù)字引腳）

　　? 所有 I/O 引腳上的高灌 / 拉電流 （18 mA/18 mA）