為了解決傳統(tǒng)光電隔離、電容隔離和變壓器隔離存在的線性度及頻率特性等問題，本文提出了一種自旋閥巨磁阻（GMR）隔離放大器的設計方案，本方案所設計的隔離器前端電路可將0~5 V的輸入電壓轉(zhuǎn)換為1.4~10 mA電流，后端接收電路在增益為1時的共模抑制比為73 dB，增益可調(diào)節(jié)范圍為1~200，工作帶寬大于100 kHz，并采用Tanner軟件對電路進行編輯、仿真與驗證，隔離器具有靈敏度高、線性度好及結(jié)構(gòu)簡單等特點，且可以與硅等半導體電路集成。
　　0引言
　　在工業(yè)控制、高壓測量及醫(yī)療設備等應用中，出于安全性的考慮，有必要在信號傳輸?shù)倪^程中引入電氣隔離，以達到減小各設備地線之間電氣特性的相互影響及干擾噪聲的目的。根據(jù)所需傳輸信號的類型，可將隔離器分為模擬信號隔離器和數(shù)字信號隔離器。其中，數(shù)字信號隔離器具有抗干擾能力強、結(jié)構(gòu)簡單及功耗低等特點，用做二進制信號或邏輯電平信號的隔離。模擬信號隔離器是用來隔離隨時間連續(xù)變化的模擬信號。一般地，傳感器的輸出幾乎都是微弱的模擬信號，因此，在模擬信號隔離之前要先對其進行放大。隔離放大器是一種高共模抑制比的低噪聲放大電路，其比較適用于輸入模擬信號與數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)之間的隔離。
　　在隔離器外圍設計相應的放大電路，就構(gòu)成了隔離放大器。常見的隔離放大器有變壓器隔離、電容隔離和光電隔離三種類型。其中，變壓器隔離放大器有如美國ADI公司的AD202，電容隔離放大器如BURR BROWN公司的ISO122，它們都需要外加調(diào)制解調(diào)電路模塊，使其結(jié)構(gòu)變得復雜，而光電隔離放大器線性度較差及傳輸速率較低。
　　美國NVE公司在1998年最先推出單片式GMR隔離器，采用的是線圈產(chǎn)生磁場來實現(xiàn)隔離耦合，但只應用于數(shù)字信號隔離領域。國內(nèi)GMR技術發(fā)展還處于起步時期，基于GMR技術的隔離器研究尚未成熟。在此，本文設計了一種自旋閥GMR隔離放大器，適用于微弱的模擬信號隔離，具有靈敏度高、線性度好及結(jié)構(gòu)簡單等特點。
　　1巨磁阻隔離放大器基本原理
　　巨磁阻隔離器是基于巨磁阻（GMR）效應的一種隔離器，所謂的巨磁阻效應，即指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現(xiàn)象。如圖1所示，輸入電壓信號經(jīng)過隔離器前端V/I放大及轉(zhuǎn)換電路，輸出的電流流過線圈產(chǎn)生與電流大小成正比的磁場，磁場被GMR傳感器感應接收，電橋?qū)⑤敵雠c磁場強度成線性的電壓信號，最后通過接收電路進行放大與噪聲抑制，提供給后續(xù)電路處理。信號在整個隔離與傳輸?shù)倪^程中，始終保持著完整的線性。
　　
　　在圖1的GMR隔離器結(jié)構(gòu)中，位于底端的惠斯通電橋采用的是自旋閥GMR傳感器，它具有較大的GMR效應、較低的飽和場、較高的靈敏度及較好的線性度；隔離柵為數(shù)十微米厚的聚合物或氮化硅高絕緣介電薄膜，可耐壓3 000~6 000 V；處在隔離柵上面的螺旋矩形平面線圈，其電流方向相反的兩個部分分別正對應下方電橋的兩對角位上的巨磁電阻，線圈產(chǎn)生的磁場透過隔離柵，改變兩對角位上的電阻的電阻態(tài)，使一個對角位上的兩電阻同時為高阻態(tài)（低阻態(tài)），而另一個對角位上的兩電阻同時為低阻態(tài)（高阻態(tài)）。
　　根據(jù)以往經(jīng)驗線圈的設計尺寸，線圈效率（即穿過隔離柵在GMR電橋上產(chǎn)生的磁場強度與流過輸入線圈的電流比值）為1.7 Oe/mA.當流過線圈的電流為-10~10 mA時，電橋輸出電壓的線性誤差小于0.05%，靈敏度達到1.27 mV/V.mA.
　　2電路設計與分析
　　圖1中自旋閥GMR隔離放大器整體結(jié)構(gòu)包括輸入級、隔離級和輸出級三部分。本文主要設計的是輸入級的V/I轉(zhuǎn)換電路和輸出級后端接收電路，并對各電路進行各種參數(shù)仿真及驗證。