介紹了近年來(lái)對(duì)摻硼晶硅 （Cz2Si 和 mc2Si） 太陽(yáng)電池的光照衰減問(wèn)題及衰減機(jī)制的研究結(jié)果。通過(guò)光照及退火處理前后少子壽命變化的研究以及光衰減與硼和氧濃度關(guān)系的研究 ，表明引起摻硼晶硅太陽(yáng)電池光照衰減的主要因素是硼和間隙氧的存在。同時(shí)介紹了減小或避免衰減的技術(shù)措施。

　　晶硅太陽(yáng)電池一直占據(jù)著光伏市場(chǎng)的主導(dǎo)地位［ 1 ］ 。2000年光伏工業(yè)和市場(chǎng)中的硅材料占 99. 6 % ，CdTe 占 0. 4 %。其中體晶硅材料 84. 2 % ，帶硅和薄層硅（多晶硅） 6 % ，非晶硅 9. 4 %。為降低光伏組件成本的各種努力中 ，晶硅材料的基礎(chǔ)研究具有重要意義。其中重要 1 例就是近年來(lái)對(duì)摻硼晶硅 （Cz2Si 和 mc2Si） 太陽(yáng)電池的光照衰減問(wèn)題及衰減機(jī)制的研究。摻硼 Cz2Si 太陽(yáng)電池的光衰減問(wèn)題是由 Fischer 和 Pschunder 在 1973 年發(fā)現(xiàn)的［ 2 ］ 。圖 1 表示 1Ωcm 摻硼 Cz2Si 電池的最大輸出功率 Pm、短路電流 Isc和開(kāi)路電壓 Voc在光照后的衰減和 200 ℃以上退火處理的恢復(fù)情況。可以看出光照使電池性能不斷衰減 ，最后達(dá)到飽和值 ;退火處理又使電池性能得到完全恢復(fù)。在相當(dāng)長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi) ，Cz （摻硼） 硅電池的這種光衰減和退火恢復(fù)的機(jī)制一直沒(méi)有解決。