一，實驗目的

　　（1）比較太陽能電池不同接法下的輸出功率

　　（2）找出哪種接法適合電阻大的用電器哪種接法適合 電阻小的用電器

　　二，實驗器材

　　太陽能電池特性測試試驗儀（THQTN-1）

　　三，實驗原理

　　1．太陽電池的結(jié)構(gòu)

　　以晶體硅太陽電池為例，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1 所示．晶體硅太陽電池以硅半導體材料制成大面積pn結(jié)進行 工作．一般采用n+/p 同質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)，即在約10 cm×10 cm 面積的p 型硅片（厚度約500 μm）上用擴散法制作出一層很薄（厚度~0.3 μm）的經(jīng)過重摻雜的n 型層．然后在n 型層上面制作金屬柵線，作為正面接觸電極．在整個背面也制作金屬膜，作為背面歐姆接觸電極．這樣就形成了晶體硅太陽電池．為了減少光的反射損失，一般在整個表面上再覆蓋一層減反射膜．

　　2．光伏效應

　　當光照射在距太陽電池表面很近的pn結(jié)時，只要入射光子的能量大于半導體材料的禁帶寬度Eg，則在p 區(qū)、n 區(qū)和結(jié)區(qū)光子被吸收會產(chǎn)生電子–空穴對．那些在結(jié)附近n 區(qū)中產(chǎn)生的少數(shù)載流子由于存在濃度梯度而要擴散．只要少數(shù)載流子離pn結(jié)的距離小于它的擴散長度，總有一定幾率擴散到結(jié)界面處．在p 區(qū)與n 區(qū)交界面的兩側(cè)即結(jié)區(qū)，存在一空間電荷區(qū)，也稱為耗盡區(qū)．在耗盡區(qū)中，正負電荷間形成一電場，電場方向由n區(qū)指向p 區(qū)，這個電場稱為內(nèi)建電場．這些擴散到結(jié)界面處的少數(shù)載流子（空穴）在內(nèi)建電場的作用下被拉向p 區(qū)．同樣，如果在結(jié)附近p 區(qū)中產(chǎn)生的少數(shù)載流子（電子）擴散到結(jié)界面處，也會被內(nèi)建電場迅速被拉向n 區(qū)．結(jié)區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的電子–空穴對在內(nèi)建電場的作用下分別移向n 區(qū)和p 區(qū)．如果外電路處于開路狀態(tài)，那么這些光生電子和空穴積累在pn結(jié)附近，使p 區(qū)獲得附加正電荷，n 區(qū)獲得附加負電荷，這樣在pn結(jié)上產(chǎn)生一個光生電動勢．這一現(xiàn)象稱為光伏效應（Photovoltaic Effect， 縮寫為PV）