本文檔為畢業設計論文，可以給畢業生做有關開關電源設計做個參考，也可以給電子愛好者做學習的資料。

開關電源未來發展趨勢電力電子技術已發展成為一門完整的、自成體系的高科技技術，電源技術屬于電力電子技術的范疇。隨著國內外先進的薄膜工藝、厚膜工藝、集成化工藝等的快速發展，開關電源技術向這下面這幾個方面發展：

（1） 功率半導體器件性能提高 1998年，Infineon公司推出COOL．MOS管，它采用”超級結”（Super．Junction） 結構，故又稱超結功率MOsFET。工作電壓600V--一800V，通態電阻幾乎降低了一個數量級，仍保持開關速度快的特點，是一種有發展前途的高頻功率半導體器件。第一章緒論絕緣柵雙極晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）岡0出現時，電壓、電流額定值只有600V、25A。很長一段時間內，耐壓水平限于1200V--一1 700V，經過長時間的探索研究和改進，現在IGBT的電壓、電流額定值已分別達到 3300V／1200A和4500V門800A，高壓IGBT單片耐壓已達到6500V，一般IGBT 的工作頻率上限為20kHz‘一40kHz，基于穿通（PT）型結構應用新技術制造的 IGBT，可工作于150kHz（硬開關）和300kHz（軟開關）。 IGBT的技術進展實際上是通態壓降，快速開關和高耐壓能力三者的折中。隨著工藝和結構形式的不同，IGBT在20年歷史發展進程中，有以下幾種類型：穿通（PT）型、非穿通（NPT）型、軟穿通（SPT）型、溝漕型和電場截止（FS）型。碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料，其優點是：禁帶寬、工作溫度高（可達600“C）、熱穩定性好、通態電阻小、導熱性能好、漏電流極小、PN 結耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體器件。可以預見，碳化硅將是21世紀最可能成功應用的新型功率半導體器件材料。

（2） 功率密度的提高提高開關電源的功率密度，使之小型化、輕量化，是人們不斷努力追求的目標。電源的高頻化是國際電力電子界研究的熱點之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子設備（如移動電話，數字相機等）尤為重要。使開關電源小型化的具體辦法有：一是高頻化：為了實現電源高功率密度，必須提高PWM變換器的工作頻率、從而減小電路中儲能元件的體積重量。二是應用壓電變壓器：應用壓電變壓器可使高頻功率變換器實現輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器利用壓電陶瓷材料特有的”電壓．振動”變換和”振動．電壓”變換的性質傳送能量，其等效電路如同一個串并聯諧振電路，是功率變換領域的研究熱點之一。三是采用新型電容器：為了減小電力電子設備的體積和重量，必須設法改進電容器的性能，提高能量密度，并研究開發適合于電力電子及電源系統用的新型電容器，要求電容量大、等效串聯電阻ESR小、體積小等