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HCMOS 的功耗
1 動態(tài)功耗
主要是電容充放電引起的，分三種情況，內(nèi)部電容和負(fù)載電容的暫態(tài)消耗，以及開關(guān)過程中的電流峰；
1》 負(fù) 載 電容的暫態(tài)消耗（ 充放電）； 作為負(fù)載電容， Q=CL*Vcc，Q/T=CL*（Vcc/T），I=Q/T，f=1/T，Il=Cl*Vcc*f;P= Cl*Vcc2*f;
2》 內(nèi)部電容 P= Ci*Vcc2*f;
3》 輸入信號高低電平轉(zhuǎn)換工程中必經(jīng)過的狀態(tài)，即 P 溝道N 溝道同時導(dǎo)通，從Vcc到地的導(dǎo)通通道，故與輸入信號的工作頻率有關(guān)，綜合2》所述，功耗與內(nèi)部電容，工作頻率的一個函數(shù)Cpd（無負(fù)載消耗功率電容）；
不同電源的邏輯接口方式——邏輯電平轉(zhuǎn)換器
A CMOS 驅(qū)動CMOS
1 向上邏輯電平轉(zhuǎn)換器，例如54HC906 開漏輸出，連個電源引腳，上拉電阻實(shí)現(xiàn)；
2 向上邏輯電平轉(zhuǎn)換器，例如54HC4049（反相），54HC4050（正相）事項(xiàng)；
B TTL 與CMOS
1 高電壓的TTL 驅(qū)動低電壓的CMOS，如5V 的TTL 驅(qū)動3V 的 CMOS；
2 低電壓的CMOS 驅(qū)動高電壓的TTL，例如3V 的 CMOS 驅(qū)動5V 的TTL；
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