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The K6R1016V1D is a 1,048,576-bit high-speed Static Random
Access Memory organized as 65,536 words by 16 bits.
The K6R1016V1D uses 16 common input and output lines and
has at output enable pin which operates faster than address
access time at read cycle. Also it allows that lower and upper
byte access by data byte control (UB, LB). The device is
fabricated using SAMSUNG￠s advanced CMOS process and
designed for high-speed circuit technology. It is particularly well
suited for use in high-density high-speed system applications.
The K6R1016V1D is packaged in a 400mil 44-pin plastic SOJ
or TSOP2 forward or 48-TBGA.
Access Memory organized as 65,536 words by 16 bits.
The K6R1016V1D uses 16 common input and output lines and
has at output enable pin which operates faster than address
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byte access by data byte control (UB, LB). The device is
fabricated using SAMSUNG￠s advanced CMOS process and
designed for high-speed circuit technology. It is particularly well
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The K6R1016V1D is packaged in a 400mil 44-pin plastic SOJ
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