資料介紹
隨著低功耗設(shè)計(jì)(包括電池供電設(shè)備)的不斷發(fā)展,在設(shè)計(jì)低功耗振蕩器方面已經(jīng)取得了更大的成就。對(duì)于需要在所有狀態(tài) (包括休眠、深度休眠和 VBAT 模式)下保持 RTCC 的應(yīng)用,輔助振蕩器電路的電流消耗成為整個(gè)系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。由于輔助振蕩器設(shè)計(jì)的改進(jìn), Microchip 單片機(jī)上的輔助振蕩器已實(shí)現(xiàn) 400 nA (典型值)的振蕩電流。這使得選擇正確的晶振來(lái)匹配低功耗輔助振蕩器更加重要。
本文檔為 32 kHz 低功耗輔助振蕩器的晶振選擇提供相關(guān)指南。不應(yīng)將本文檔作為晶振選擇的唯一標(biāo)準(zhǔn)。建議根據(jù)晶振供應(yīng)商的產(chǎn)品特性選擇振蕩器。以下器件已實(shí)現(xiàn)本文檔所闡述的特定低功耗振蕩器:
? PIC24FJ128GA310 系列
? PIC24FJ128GC010 系列
? PIC24FJ128GA/GB204 系列
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