資料介紹
TechInsights的研究人員針對采用XPoint技術的英特爾Optane內存之制程、單元結構與材料持續進行深入分析與研究。
英特爾(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint,打造出25年以來的首款新型態內存技術。2016年,英特爾發布采用3D XPoint技術的Optane品牌儲存產品 ,成為該技術最先上市的新一代高性能固態硬盤(SSD)系列。
根據TechInsights的材料分析,XPoint是一種非揮發性內存(NVM)技術。位儲存根據本體(bulk)電阻的變化,并結合可堆棧的跨網格數據存取數組。其價格預計將會 較動態隨機存取內存(DRAM)更低,但高于閃存。
TechInsights最近取得了英特爾Optane M.2 80mm 16GB PCIe 3.0并加以拆解,在封裝中發現了一個3D X-Point內存芯片。這是英特爾和美光的首款商用化3D Xpoint產品。英特爾3D X-Point內存的封裝尺寸為241.12mm2(17.6mm x 13.7mm),其中并包含X-Point記體晶粒。該3D X-Point晶粒尺寸為mm2(16.6mm x 12.78mm)。
圖1:Xpoint內存封裝與晶粒(16B)圖 (來源:英特爾3D XPoint、TechInsights)
TechInsights的進一步分析確定,英特爾Optane XPoint內存芯片的每顆晶粒可儲存128Gb,較目前2D與3D TLC NAND商用產品的儲存密度略低,如圖1所示。美光 (Micron) 32L 3D FG CuA TLC NAND的每顆晶粒內存密度為2.28Gb/mm2,三星(Samsung) 48L TLC V-NAND為2.57Gb/mm2,東芝(Toshiba)/WD 48L BiCS TLC NAND為 2.43Gb/mm2,而海力士(SK Hynix)36L P-BiCS MLC NAND則為1.45Gb/mm2。相形之下,英特爾的Optane XPoint的內存密度為0.62Gb/mm2。
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