CMOS圖像傳感器集成A/D轉換器技術的研究:片上集成A/D轉換器是CMOS圖像傳感器的關鍵部件，文章分析和比較了三類不同集成方式：芯片級，列級和象素級的原理，性能和特點。最后，展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉換器的未來發展趨勢。
關鍵詞： CMOS圖像傳感器，A/D轉換器，傳感器，芯片級，列級，象素級

隨著半導體制造技術，多媒體技術的迅速發展，圖像傳感器作為數碼相機，攝像頭等圖像獲取設備的核心部件正在成為當前和未來研究的重點。按照類型來分圖像傳感器主要可以分為CCD型和CMOS型。CCD（Charged Coupled Device）技術由在貝爾實驗室在1969年首先提出，至今已有25年的歷史。它是利用一個特殊的VLSI工藝，在硅片表面上生成一個緊密壓縮的多硅電極網格，通過光電效益收集電荷。在過去的20多年里，CCD 圖像傳感器以其高靈敏性低噪聲和寬的動態范圍的優點占領了圖像傳感器市場。但是隨著CCD應用范圍的擴大，其缺點逐漸顯露出來，首先是CCD光敏單元陣列難與驅動電路及信號處理電路單片集成，不易處理一些模擬和數字功能，這些功能包括模數轉換器、精密放大器、存儲器、運算單元等元件的功能，其次CCD陣列驅動的脈沖復雜，需要使用相對高的工作電壓，不能與深亞微米超大規模集成電路（VLSI）技術兼容，而且CCD功耗大的缺點嚴重限制了其在便攜電子設備上的應用。MOS圖像傳感器的概念最早出現在20世紀60年代，但當時由于大規模集成電路工藝的限制未能進行研究。隨著超大規模集成電路和微細加工技術的發展，最近人們已經成功將圖像傳感器，模數轉換電路，圖像處理電路等模塊集成在一塊CMOS圖像傳感器芯片上[1][2]，以達到低功耗，高性能，高集成度和高可靠性，并且大大降低系統成本和面積，CMOS圖像傳感器開始突破原來成像質量差的缺點，逐漸成為圖像傳感器領域的研究熱點。 本文主要針對CMOS圖像傳感器上集成的模數轉換器轉換電路的主要類型及其特點和最新進展作一介紹。