本文件定義了DDR3 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交直流特性、封裝和球/信號分配。本文檔的目的是為符合jedec的512 MB到8 GB的x4、x8和x16 ddr3 sdram設備定義一組最低要求。本標準是根據(jù)DDR2標準（Jesd79-2）和DDR標準（Jesd79）的某些方面制定的。DDR3 SDRAM操作的每個方面的更改都經(jīng)過了委員會投票的考慮和批準。然后將這些投票的累積合并在一起，以制備本文件，即Jesd79-3D，替換整個將這些更改合并到功能描述和操作中。

　　ddr3 sdram是一種高速動態(tài)隨機存取存儲器，內(nèi)部配置為八行dram。DDR3 SDRAM采用8n預取結構實現(xiàn)高速操作8n預取體系結構與一個接口相結合，該接口設計用于在I/O管腳處每個時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字DDR3 SDRAM的單次讀寫操作包括內(nèi)部DRAM核心的單次8n位寬的四時鐘數(shù)據(jù)傳輸和在I/O管腳的兩次相應的n位寬的半時鐘周期數(shù)據(jù)傳輸對ddr3 sdram的讀寫操作是面向突發(fā)的，從一個選定的位置開始，并按編程順序繼續(xù)8個突發(fā)長度或4個“切碎”突發(fā)。操作從注冊活動命令開始，然后注冊讀或寫命令。與激活命令一致注冊的地址位用于選擇要激活的銀行和行（BA0-BA2選擇銀行；A0-A15選擇行有關具體要求，請參閱第15頁的“DDR3 SDRAM尋址”。與讀或寫命令一致注冊的地址位用于選擇突發(fā)操作的起始列位置，確定是否發(fā)出自動預充電命令（通過A10），并選擇BC4或BL8模式“動態(tài)”（通過A12）如果在模式寄存器中啟用在正常操作之前，DDR3 SDRAM必須以預定義的方式通電和初始化。以下各節(jié)提供了有關設備重置和初始化、寄存器定義、命令說明和設備操作的詳細信息。