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深圳市宏源世紀科技有限公司

主要銷售觸摸芯片,DC-DC電源,微控制器單片機,存儲器,MOS場效應管,LED驅動產品。

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WINBOND/華邦 W9864G6JH-6 TSOP54 SDRAM存儲器

型號: W9864G6JH-6

--- 產品參數 ---

  • 型號 W9864G6JH-6
  • 數量 5550
  • 封裝 TSOP54
  • 品牌 WINBOND/華邦
  • 批次 最新批次

--- 產品詳情 ---

1.概述W9864G6JH是一種高速同步動態隨機存取存儲器(SDRAM),組織為1M字? 4個銀行? 16位。W9864G6JH提供高達每秒200M字的數據帶寬。對于不同的應用,W9864G6JH可分為以下速度等級:-5/-6/-6I/-6A/-7/-7S。-5部分可以運行高達200MHz/CL3。-6/-6I/-6A部件可運行高達166MHz/CL3(-6I工業級,-6A汽車級,保證支持-40°C~85°C)。-7/-7部件最高可運行143MHz/CL3,tRP=18nS。對SDRAM的訪問是面向突發的。當ACTIVE命令選擇一個存儲體和行時,可以以1、2、4、8或整頁的突發長度訪問一頁中的連續存儲器位置。列地址由SDRAM內部計數器在突發操作中自動生成。通過在每個時鐘周期提供其地址,隨機列讀取也是可能的。多個存儲體的性質使得內部存儲體之間能夠交錯以隱藏預充電時間。通過具有可編程模式寄存器,該系統可以改變突發長度、延遲周期、交織器順序突發,以最大限度地提高其性能。W9864G6JH是高性能應用程序中主存儲器的理想選擇

2.特點? -5/-6/-6I/-6A速度等級電源為3.3V±0.3V? 2.-7/-7S速度等級電源的7V~3.6V? 1048576字? 4個銀行? 16位組織? 自刷新電流:標準和低功率? CAS延遲:2和3? 突發長度:1、2、4、8和整頁? 順序和交錯突發? 字節數據由LDQM、UDQM控制? 自動預充電和受控預充電? 突發讀取,單次寫入操作? 4K刷新周期/64mS? 接口:LVTTL? TSOP II 54引腳400密耳封裝,采用無鉛材料,符合RoHS標準

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