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深圳市華灃恒霖電子科技有限公司

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QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化鎵HEMT

型號(hào)： QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化鎵HEMT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 工作溫度 85

--- 產(chǎn)品詳情 ---

Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化鎵HEMT
Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化鎵 (GaN) HEMT（高電子遷移率晶體管）是一款非對(duì)稱雙路功率放大器晶體管，適合用于Doherty應(yīng)用。QPD0011的頻率范圍為3.3GHz至3.6GHz，最大Doherty增益為13.3db。每條路徑中均包含一個(gè)單級(jí)放大器晶體管。QPD0011采用Doherty配置，平均功率為15W。
Qorvo QPD0011碳化硅基氮化鎵HEMT采用緊湊的7.0mm x 6.5mm DFN封裝。

 

QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化鎵HEMT特性
工作頻率范圍：3.3GHz至3.6GHz
工作漏極電壓 (VD)：+48V
最高Doherty峰值功率：90W（3.5GHz時(shí)）
最高Doherty漏極效率：48%（3.5GHz時(shí)）
最大Doherty增益：13.3dB（3.5GHz時(shí)）
飽和時(shí)輸出功率 (PSAT)：49.5dBm
靜態(tài)漏極電流 (IDQ)：65mA
7.0mm x 6.5mm DFN封裝
無鹵、無鉛，符合RoHS指令
 

QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化鎵HEMT應(yīng)用
WCDMA和LTE
微蜂窩基站
微蜂窩基站
小型蜂窩
有源天線
5G大規(guī)模MIMO
非對(duì)稱Doherty應(yīng)用

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