ADL8106ACEZ：重塑微波領(lǐng)域的強(qiáng)大力量
ADL8106ACEZ是一款突破性的砷化鎵(GaAs)假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)微波單片集成電路(MMIC)寬帶低噪聲放大器。其卓越的性能和可靠性，使其在20GHz至54GHz的廣泛頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出色。
在增益方面，ADL8106ACEZ提供了高達(dá)21.5dB的增益，確保信號(hào)的強(qiáng)大和清晰。在輸出功率方面，該芯片在14dBm的壓縮(OP1dB)時(shí)，輸出功率為1dB，保證了信號(hào)的穩(wěn)定性和穿透力。同時(shí)，在30GHz至44GHz時(shí)，其輸出三階交調(diào)(OIP3)的典型值為21.5dBm，這使得該芯片成為各種高要求應(yīng)用的理想選擇。
ADL8106ACEZ不僅性能強(qiáng)大，而且設(shè)計(jì)精良，易于集成。其3V的電源電壓(VDD)可以提供120mA的電流，使得該芯片能夠穩(wěn)定運(yùn)行。輸入和輸出都已內(nèi)部匹配到50Ω，簡(jiǎn)化了與多芯片模塊(MCM)的集成過(guò)程。所有數(shù)據(jù)均通過(guò)最小長(zhǎng)度為0.076mm到0.152mm（3密耳到6密耳）的寬金帶狀鍵合連接的RFIN和RFOUT焊盤(pán)獲得，保證了信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和準(zhǔn)確性。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 21.5dB的增益 21.5dB的增益
- 30GHz至44GH 30GHz至44GHz時(shí)
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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