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深圳市華灃恒霖電子科技有限公司

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ADL7078ACPZN

型號: ADL7078ACPZN

--- 產品參數 ---

  • 低噪聲放大器 ADL7078ACPZN
  • 測量 測量設備
  • 溫度 -40℃到+85℃
  • 砷化鎵(GAAS) 砷化鎵(GAAS)

--- 產品詳情 ---

 

ADL7078ACPZN 是一個1千兆赫到20千兆赫的低噪聲放大器(LNA),具有32個dbrf輸入電源的生存能力。耦合電容器和偏置電感器是集成的,方便了緊湊的印刷電路板足跡。

ADL7078ACPZN  的增益為13db,輸出功率為1db壓縮(OP1db),輸出功率為16.5dbm,典型的輸出第三順序截取(OIP3)為28dbm,噪聲數字為4.4db為2千兆赫至18千兆赫。這個LNA工作在一個5V電壓(V 數據交換 ),并有名義的靜止電流(I 數據量 )的數字。

該Adl7078是在一種砷化鎵(GAAS)、假形態電子遷移(PUEMT)過程中制備的。該裝置安裝在一個符合Rohs要求的24鉛、4B毫米x4.00mm的鉛框架芯片規模包件(LFCSP)中,并規定從-40℃到+85℃的操作。

 


提示:以下是本篇文章正文內容,下面案例可供參考

一、ADL7078ACPZN產品描述

1.產品特性

ADL7078是一個1千兆赫到20千兆赫的低噪聲放大器(LNA),具有32個dbrf輸入電源的生存能力。耦合電容器和偏置電感器是集成的,方便了緊湊的印刷電路板足跡。

Adl7078的增益為13db,輸出功率為1db壓縮(OP1db),輸出功率為16.5dbm,典型的輸出第三順序截取(OIP3)為28dbm,噪聲數字為4.4db為2千兆赫至18千兆赫。這個LNA工作在一個5V電壓(V 數據交換 ),并有名義的靜止電流(I 數據量 )的數字。

該Adl7078是在一種砷化鎵(GAAS)、假形態電子遷移(PUEMT)過程中制備的。該裝置安裝在一個符合Rohs要求的24鉛、4B毫米x4.00mm的鉛框架芯片規模包件(LFCSP)中,并規定從-40℃到+85℃的操作。2.技術規格

 

 

二、ADL7078ACPZN 應用領域

 

應用

  • 電子戰
  • 測試和測量設備
  • 衛星通信。

三、應用電路圖

示例:

 

ADL7078ACPZN

特點和益處

  • 評估Adl7078高生存性,低噪音放大器,1千兆赫至20千兆赫
  • 結束發射,2.9毫米射頻連接器
  • 通過校準路徑(無人)

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