STM32H725ZGT6，ST/意法半導體，Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB閃存，

564 KB，RAM、以太網、USB、3個FD-CAN、圖形、2個16位ADC

STM32H725ZGT6，V 18664341585,ST/意法半導體，Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB閃存，

564 KB，RAM、以太網、USB、3個FD-CAN、圖形、2個16位ADC

STM32H725xE/G設備基于高性能Arm?Cortex?-M7 32位

RISC核心，工作頻率高達550 MHz。Cortex?-M7核心采用浮點單元

（FPU），支持Arm?雙精度（符合IEEE 754標準）和單精度

數據處理指令和數據類型。Cortex-M7內核包含32 KB的

指令高速緩存和32K字節的數據高速緩存。STM32H725xE/G設備支持全套

DSP指令和存儲器保護單元（MPU），以增強應用程序的安全性。

STM32H725xE/G設備包含高達1M字節的高速嵌入式存儲器

閃存，最高564 KB的RAM（包括可共享的192 KB

在ITCM和AXI之間，加上64K字節專用ITCM，加上128K字節專用AXI，

128 KB DTCM、48 KB AHB和4 KB備份RAM），以及大量

連接到APB總線、AHB總線、2x32位的一系列增強型I/O和外圍設備

多AHB總線矩陣和多層AXI互連

?高級外圍設備，包括

–靈活的存儲器控制（FMC）接口

–兩個Octo SPI內存接口

–用于CMOS傳感器的攝像頭接口

–LCD-TFT顯示控制器

有關外圍設備列表，請參閱表2:STM32H725xE/G功能和外圍設備計數

每個零件號上都有。

為了降低功耗，STM32H2725xE/G包括可選的降壓

轉換器，可用于內部或外部電源，或兩者兼而有之。

STM32H2725xE/G設備在–40至+125°C的環境溫度范圍內運行

1.62至3.6 V電源。通過使用

外部電源監控器（見第3.7.2節：電源監控器），并連接

PDR_ON引腳至VSS。否則，電源電壓必須保持在1.71 V以上

嵌入式電源電壓檢測器啟用。

USB專用電源輸入可供選擇，提供更多電源。

一套全面的節能模式允許設計低功耗應用程序

高達1兆字節的嵌入式閃存

電子控制

?SRAM：總共564 KB，全部帶有ECC，包括

128 KB的數據TCM RAM，用于關鍵實時

數據+432 KB的系統RAM（最多

256 KB可以在指令TCM上重新映射

關鍵實時指令的RAM）+

4 KB的備份SRAM（可在

最低功率模式）

?具有高達

24位數據總線：SRAM、PSRAM、，

SDRAM/LPSDR SDRAM，NOR/NAND

回憶

?2個帶XiP的Octo SPI接口

?2個SD/SDIO/MMC接口

?引導程序

圖樣

?Chrom ART Accelerator圖形硬件

加速功能增強的圖形用戶

減少CPU負載的接口

?支持高達XGA的LCD-TFT控制器

決議

時鐘、復位和電源管理

?1.62 V至3.6 V應用電源和I/O

?POR、PDR、PVD和BOR

?專用USB電源

?嵌入式DCDC和LDO調節器

（*）VFQFPN68變體僅限DCDC

?內部振蕩器：64 MHz HSI，48 MHz

HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI

?外部振蕩器