--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 最小頻率 2.496GHz
- 最大頻率 2.69GHz
- P3dB輸出功率 620瓦
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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高功率 RF GaN on SiC HEMT 620 W,48 V,2496 – 2690 MHz
GTRB267008FC 是一款 620 瓦 (P4dB) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT),設(shè)計(jì)用于 Doherty 蜂窩功率放大器應(yīng)用。它在 2496 MHz 至 2690 MHz 工作頻段內(nèi)具有高線性化效率,并采用帶無(wú)耳法蘭的耐熱增強(qiáng)型封裝。
特征
- 碳化硅基氮化鎵 HEMT 技術(shù)
- 典型脈沖 CW 性能,2690 MHz,48 V,10 μs 脈沖寬度,10% 占空比,組合輸出
- P3dB = 620 W 時(shí)的輸出功率
- P4dB 時(shí)的效率 = 72%
- 高線性化效率
- 人體模型 1C 級(jí)(根據(jù) ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
- 無(wú)鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
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