SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 400 W；48V；2500 – 2700 兆赫
GTRB264318FC 是一款 400 瓦 (P3dB) GaN on Sic 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，適用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。具有內(nèi)部匹配功能；高效率; 以及帶無耳法蘭的耐熱增強(qiáng)型封裝。
特征
- 碳化硅基氮化鎵 HEMT 技術(shù)
- 寬帶內(nèi)部匹配
- 典型脈沖 CW 性能：10 μs 脈沖寬度；10%占空比；2675兆赫；48V；多爾蒂夾具
- 增益 = 15 dB @ 47.2 dBm
- 效率 = 53% @ 47.2 dBm
- P3dB = 400 W 時(shí)的輸出功率
- 人體模型 1B 級(jí)（根據(jù) ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
- 低熱阻
- 無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用領(lǐng)域
- 多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用
