--- 產品參數 ---
- 最小頻率 1.93GHz
- 最大頻率 2.02GHz
- P3dB輸出功率 350瓦
--- 產品詳情 ---
高功率 RF GaN on SiC HEMT 350 W,48 V,1930 – 2020 MHz
GTRB204402FC/1 是一款 350 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT),設計用于多標準蜂窩功率放大器應用。它具有高效率和帶無耳法蘭的耐熱增強型封裝。
特征
- 典型脈沖 CW 性能,2020 MHz,48 V,10 μs 脈沖寬度,10% 占空比,組合輸出
- P3dB = 350 W 時的輸出功率
- P3dB 時的效率 = 65%
- 人體模型 1C 級(根據 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
- 無鉛且符合 RoHS 標準
應用領域
- 通訊基礎設施
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