用于并聯 SiC 電源模塊的 1200 V、1.33 mΩ、HM 高性能 62 mm、半橋右 GK
Wolfspeed 開發了 HM 功率模塊平臺，以在功率密度敏感的應用中發揮碳化硅的優勢，同時保持 62mm 模塊的基板兼容性。HM 平臺的碳化硅優化封裝可實現 175°C 的連續結操作，并采用高可靠性氮化硅 (Si 3 N 4 ) 功率基板以確保極端條件下的機械魯棒性和輕質 AlSiC 基板。HM3 非常適合醫療電源、航空航天和牽引驅動等要求苛刻的應用。
特征
- 高性能 62 毫米占地面積
- 低電感 (4.9 nH) 設計可實現高速開關和高效率并降低損耗
- 高結溫 (175 °C) 運行
- 可用于第二代和第三代 SiC MOSFET 的配置
- 輕質 AlSiC 基板
- 氮化硅絕緣體具有強大的熱循環能力
好處
- 輕的; 緊湊的外形和 62mm 兼容底板可實現系統改造
- 提高系統效率；由于碳化硅的低開關和傳導損耗
- 高可靠性材料選擇可實現高溫運行
應用領域
- 鐵路與牽引
- 太陽能及可再生能源
- 電動汽車充電器
- 工業自動化與測試
- 醫療電源
- 電機驅動
