900 V、65 mΩ、32 A、第 3 代裸片 SiC MOSFET
Wolfspeed 通過引入最先進的 SiC MOSFET 技術(shù)（業(yè)界首個 900 V MOSFET 平臺）擴大了其在碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。全新 900 V 平臺針對高頻電力電子應(yīng)用（包括可再生能源逆變器、電動汽車充電系統(tǒng)和三相工業(yè)電源）進行了優(yōu)化，可實現(xiàn)更小、更輕、效率更高的下一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，且成本與硅相當(dāng)基于的解決方案。
特征
- 整個工作溫度范圍內(nèi) Vbr 最低為 900V
- 高阻斷電壓和低 RDS(on)
- 具有低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 的快速本征二極管
- 具有低輸出電容的高速開關(guān)
好處
- 高電壓；高溫；耐高濕性，可實現(xiàn)真正的戶外太陽能轉(zhuǎn)換和非車載充電應(yīng)用
- 提高系統(tǒng)效率并顯著降低開關(guān)損耗
- 減小系統(tǒng)尺寸；重量; 和冷卻要求
- 提高功率密度
- 易于并聯(lián)并與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動設(shè)計兼容
應(yīng)用領(lǐng)域
- 太陽能逆變器
- 電機驅(qū)動
- 高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
- 開關(guān)模式電源
- 固態(tài)斷路器
- 車外充電器
CPM3-0650-0015A
CPM3-0650-0045A
CPM3-0650-0060A
EPM3-0750-0010D
CPM3-0900-0010A
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EPM3-1200-R013D
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EPM3-1200-R015D
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CPM3-3300-R050A
