AD586代表了先進(jìn)單芯片基準(zhǔn)電壓源領(lǐng)域取得的重大進(jìn)步。它采用專有離子植入嵌入式齊納二極管，并對高度穩(wěn)定的薄膜電阻進(jìn)行激光晶圓調(diào)整，從而能夠以較低的成本提供出色的性能。
AD586的性能明顯高于大多數(shù)其它5 V基準(zhǔn)電壓源。它采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列，因此許多系統(tǒng)都可以利用AD586迅速完成升級。基準(zhǔn)電壓源設(shè)計采用嵌入式齊納方法，使噪聲和漂移均低于帶隙基準(zhǔn)電壓源。該器件還提供降噪引腳，可進(jìn)一步降低嵌入式齊納二極管產(chǎn)生的噪聲電平。
AD586推薦用作需要外部精密基準(zhǔn)電壓源的8位、10位、12位、14位或16位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)的基準(zhǔn)電壓源。該器件也適合最高14位精度的逐次逼近型或集成式模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，而且其性能通常優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)片內(nèi)基準(zhǔn)電壓源。
AD586J/K/L/M的額定工作溫度范圍為0°C至+70°C，AD586A/B為-40°C至+85°C，AD586S/T則為-55°C至+125°C。AD586J/K/L/M提供8引腳塑封DIP封裝；AD586J/K/L/A/B提供8引腳塑封表貼小型(SO)封裝；AD586J/K/L/S/T提供8引腳CERDIP封裝。
- 激光調(diào)整高精度
5.00 V ± 2.0 mV （M級） - 經(jīng)過調(diào)整的溫度系數(shù)
2 ppm/°C（最大值，0°C至70°C，M級）
5 ppm/°C（最大值，-40°C至+85°C，B級和L級）
10 ppm/°C（最大值，-55°C至+125°C，T級） - 低噪聲：100 nV/√Hz
- 降噪能力
- 輸出調(diào)整能力
- 提供符合MIL-STD-883標(biāo)準(zhǔn)的版本
- 提供工業(yè)溫度范圍SOIC封裝
- 輸出源電流或吸電流：10 mA
ADR3630
ADR3650
ADR3625
ADR4520A
ADR4520B
ADR4525A
ADR4525B
ADR4525C
ADR4525D
ADR4540A
ADR4540B
ADR4540C
ADR4540D
ADR4550A
ADR4550B
ADR4550C
ADR4550D
LT6654BXMS8-2.5
