--- 產品參數 ---
- 負載調整率 15 ppm/mA
- 線性調整率 20 ppm/V
- 寬工作溫度范圍 -40 ℃至+125 ℃
--- 產品詳情 ---

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基準電壓源,具有低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司的溫度漂移曲率校正技術和外加離子注入場效應管(XFET)技術,可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。
與嵌入式齊納基準電壓源相比,XFET基準電壓源能以更低的電流(800 μA)和更小的電源電壓裕量(2 V)工作。嵌入式齊納基準電壓源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基準電壓源是適合5 V系統的低噪聲解決方案。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源電流輸出最高達30 mA,最大吸電流能力為-20 mA。它還具有調整引腳,可以在±0.5%范圍內調整輸出電壓,而性能則不受影響。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引腳MSOP和8引腳窄體SOIC兩種封裝。所有型號產品的額定溫度范圍均為?40°C至+125°C擴展工業溫度范圍。
應用
- 精密數據采集系統
- 高分辨率數據轉換器
- 醫療儀器
- 工業過程控制系統
- 光學控制電路
- 精密儀器
- 低噪聲(0.1 Hz至10.0 Hz): 3.5 μV p-p(2.5 V輸出)
- 無需外部電容
- 低溫度系數
A級: 10 ppm/℃(最大值)
B級: 3 ppm/℃(最大值) - 負載調整率: 15 ppm/mA
- 線性調整率: 20 ppm/V
- 寬工作電壓范圍:
ADR430: 4.1 V至18 V
ADR431: 4.5 V至18 V
ADR433: 5.0 V至18 V
ADR434: 6.1 V至18 V
ADR435: 7.0 V至18 V - 高輸出源電流和吸電流: +30 mA和-20 mA
- 寬工作溫度范圍: -40 ℃至+125 ℃
MAX6070A-3.3
MAX6070A-4.1
MAX6070A-5
MAX6070B-1.2
MAX6070B-1.8
MAX6070B-2.1
MAX6070B-2.5
MAX6070B-3
MAX6070B-3.3
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