LTC?3831-1 是一款專為 DDR 存儲器終端而設計的高功率、高效率開關穩(wěn)壓控制器。LTC3831-1 可產生一個等于 1/2 外部電源或基準電壓的輸出電壓。LTC3831-1 采用同步開關架構和 N 溝道 MOSFET。此外，該芯片還可通過上端 N 溝道 FET 的漏-源極電阻來檢測輸出電流，因而能夠在無需使用電流檢測電阻器的情況下提供一個可調電流限值。
LTC3831-1 可在輸入電源電壓低至 3V 的條件下運作，并具有一個 >91% 的最大占空比。該器件包括一個固定頻率 PWM 振蕩器，用于實現低輸出紋波操作。300kHz 的自由運行時鐘頻率可從外部進行調節(jié)，或利用一個外部信號進行同步處理 (同步范圍為 100kHz 至高于 500kHz)。在停機模式中，LTC3831-1 的電源電流降至 <10μA。
- VOUT低至 0.4V
- 用于 DDR 存儲器終端的高功率開關穩(wěn)壓控制器
- VOUT跟蹤 1/2 of VIN或外部VREF
- 無需電流檢測電阻器
- 低 VCC 電源：3V 至 8V
- 在整個溫度范圍內的最大占空比 >91%
- 驅動全 N 溝道外部 MOSFET
- 高效率：達 95%
- 可編程固定頻率操作：100kHz 至 500kHz
- 外部時鐘同步操作
- 可編程軟啟動
- 低停機電流：<10μA
- 過熱保護
- 采用 16 引腳窄體 SSOP 封裝
LTC3618
LTC3634
LTC3617
LTC3876
LTC3614
LTC3615
LTC3616
LTC3612
MAX17000A
MAX8794
MAX8632
LTC3776
LTC3831-1
MAX8550
MAX8550A
LTC3717-1
LTC3718
LTC3413
MAX1917
LTC3717
LTC3831
MAX1510
MAX17510
