NPT25100B
GaN 放大器 28 V，125 W，2.1 - 2.7 GHz
NPT25100 硅基 GaN HEMT D 型放大器針對 2.1 - 2.7 GHz 運行進行了優化。該器件支持 CW、脈沖和線性操作，輸出功率水平高達 125 W，采用帶螺栓固定法蘭的行業標準塑料封裝。
特征
- 高可靠性鍍金工藝
- 熱增強行業標準封裝
- 100% 射頻測試
- 可在高達 32V 的電壓下運行
- 10W 線性功率 @ 2.0% EVM，用于單載波 OFDM，10.3dB 峰值/平均值，10MHz 信道帶寬，16.5dB 增益，26% 效率
- 90W P3dB 連續波功率
- 125W P3dB 峰包功率
- 符合 RoHS 標準
產品規格
零件號
NPT25100B
描述
GaN 放大器 28 V，125 W，2.1 - 2.7 GHz
最小頻率(MHz)
2100
最大頻率(MHz)
2700
電源電壓(V)
28
PSAT(W)
125.0
增益（分貝）
16.5
效率
26
測試頻率(GHz)
2.50
包裹
法蘭陶瓷包
包裹類別
陶瓷制品
相關型號
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