--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 積分線性誤差 ±1 LSB
- 低突波 15 nV-s
- 低THD+N 0.009%
--- 產(chǎn)品詳情 ---

AD660 DACPORT?是一款完整的16位單芯片數(shù)模轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置一個片內(nèi)基準電壓源、雙緩沖鎖存器和一個輸出放大器。它采用ADI公司BiMOS II工藝制造,可以在同一芯片上實現(xiàn)高精度雙極性線性電路與低功耗CMOS邏輯功能。
AD660架構(gòu)可確保15位單調(diào)性不隨時間和溫度而變化。積分非線性和微分非線性誤差均保持為±0.003%(最大值)。片內(nèi)輸出放大器可以使電壓輸出在10 μs達到1/2 LSB以內(nèi)的精度(滿量程步進)。
AD660配有一個極其靈活的數(shù)字接口。數(shù)據(jù)可以以串行模式或雙8位字節(jié)格式載入AD660。通過具有雙重功能的兩個數(shù)字輸入引腳實現(xiàn)。串行模式輸入格式通過引腳進行選擇,可以是MSB優(yōu)先或LSB優(yōu)先。利用串行輸出引腳,用戶能夠以菊花鏈形式連接數(shù)個AD660器件:將通過輸入鎖存器的數(shù)據(jù)移位至下一個DAC,從而使連接SIN、CS和LDAC所需的控制線路數(shù)量較少。字節(jié)模式輸入格式也很靈活,可以選擇先加載高字節(jié)數(shù)據(jù)還是低字節(jié)數(shù)據(jù)。雙緩沖鎖存器結(jié)構(gòu)不僅可以消除數(shù)據(jù)偏斜誤差,還能夠在多DAC系統(tǒng)中同時更新各DAC。
AD660分為五級。AN級和BN級的額定溫度范圍為?40°C至+85°C,采用24引腳300 mil塑料DIP封裝。AR級和BR級的額定溫度范圍也是?40°C至+85°C,采用24引腳SOIC封裝。SQ級采用24引腳300 mil CERDIP封裝,還提供符合MIL-STD-883標準的型號。請參考AD660SQ/883B軍用級數(shù)據(jù)手冊,了解相關(guān)的技術(shù)規(guī)格與測試條件。
產(chǎn)品特色
1. AD660是一款完整的16位單芯片DAC,內(nèi)置一個基準電壓源、雙緩沖鎖存器和一個輸出放大器。
2. 內(nèi)部嵌入式齊納基準電壓源經(jīng)激光調(diào)整至10.000 V,最大誤差為±0.1%,溫度漂移性能為±15 ppm/°C。該基準電壓源可用于外部應用。
3. AD660的輸出范圍通過引腳編程,可以設(shè)置為0 V至10 V單極性輸出范圍或?10 V至+10 V雙極性輸出范圍。無需外部元件。
4. AD660同時提供直流與交流特性。直流特性包括±1 LSB積分非線性(INL)誤差和±1 LSB微分非線性(DNL)誤差。交流特性包括0.009% THD + N和83 dB信噪比(SNR)。
5. AD660的雙緩沖鎖存器不僅可以消除數(shù)據(jù)偏斜誤差,還能夠在多DAC應用中同時更新各DAC。
6. 無論DAC處于單極性模式還是雙極性模式,清零功能都能夠異步設(shè)置輸出為0 V。
7. 滿量程步進時,輸出放大器可以在10 μs內(nèi)達到±1/2 LSB精度,1 LSB步進時在2.5 μs內(nèi)達到全溫度范圍。當加載滿量程步進時,輸出毛刺典型值為15 nV-s。
- 完整的16位數(shù)模轉(zhuǎn)換功能
片內(nèi)輸出放大器
片內(nèi)嵌入式齊納基準電壓源 - 積分線性誤差:±1 LSB
- 15位單調(diào)性(在整個溫度范圍內(nèi))
- 微處理器兼容
串行或字節(jié)輸入
雙緩沖鎖存器
快速(40 ns)寫入脈沖 - 異步清零(至0 V)功能
- 串行輸出引腳便于進行菊花鏈配置
- 單極性或雙極性輸出
- 低突波:15 nV-s
- 低THD+N:0.009%
AD7836
AD7835
AD7834
AD760
AD7849
MAX503
AD8842
DAC8420
AD660
MX7837
MX7847
AD7249
AD669
MX7245
MX7248
MX7845
DAC8412
DAC8413
AD7244
AD7237A
AD7247A
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