HMC424A芯片是一款寬帶、6位、砷化鎵(GaAs)、數(shù)字衰減器單芯片微波集成電路(MMIC)，以0.5 dB步長(zhǎng)提供31.5 dB的衰減控制范圍。
HMC424A芯片在0.1 GHz至13.0 GHz的指定頻率范圍內(nèi)具有出色的衰減精度（±0.2 dB + 3%的衰減狀態(tài)）和高輸入線性度，典型插入損耗≤4.2 dB。衰減器位值為0.5 (LSB)、1 dB、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB，總衰減為31.5 dB，典型步長(zhǎng)誤差為±0.5 dB。
該器件允許用戶通過在0 V至VEE之間切換的六個(gè)并行控制輸入對(duì)衰減狀態(tài)進(jìn)行編程設(shè)定。
HMC424A芯片采用?3 V至?5 V單個(gè)負(fù)電源供電，需要外部驅(qū)動(dòng)器以便連接CMOS/晶體管對(duì)晶體管邏輯(TTL)接口。
HMC424A芯片采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的9焊盤裸片封裝。
應(yīng)用
- 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
- 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
- 測(cè)試設(shè)備和傳感器
- 中頻(IF)和RF設(shè)計(jì)
- 軍事與太空
- 衰減范圍：0.5 dB (LSB)步進(jìn)至31.5 dB
- 步長(zhǎng)誤差：±0.5 dB（典型值）
- 低插入損耗：2.8 dB（典型值，4.0 GHz）
- VEE = ?5 V 時(shí)具有高線性度
- 輸入 P0.1dB：25 dBm（典型值）
- 輸入 IP3：45 dBm（典型值）
- 高RF輸入功率處理：25 dBm（最大值）
- 低相對(duì)相位：30° (6.0 GHz)
- 單電源運(yùn)行：?3 V 至 ?5 V
- 裸片尺寸：1.390 mm × 0.770 mm × 0.102 mm
ADRF5474NEW
ADH939S
ADH941S
ADRF5473
ADRF5740
ADRF5720
ADRF5721
ADRF5730
ADRF5731
HMC425A
HMC1018A
HMC1019A
HMC291S
HMC1119
HMC939A-Die
HMC939ALP4E
HMC941A-Die
HMC941ALP4E
HMC470A
HMC629A
HMC8073
HMC1122
HMC273A
HMC539A
HMC802A
HMC305S
HMC540S
HMC306A
HMC1095
HMC792A
HMC468A
HMC472A
HMC542B
HMC624A
HMC759
HMC424A-Die
