--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 高 PSAT 46 dBm
- 高功率增益 20 dB
- 高 PAE 38%
- 瞬時帶寬 0.3 GHz 到 6 GHz
- 電源電壓 VDD = 50 V,1300 mA
--- 產(chǎn)品詳情 ---

HMC8205BF10是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在瞬時帶寬范圍為0.3 GHz至6 GHz時提供45.5 dBm (35 W)功率和38%功率附加效率(PAE)。無需外部匹配便可實現(xiàn)全頻段工作。此外,無需外部電感便可實現(xiàn)放大器偏置。同時,RFIN和RFOUT引腳的隔直電容集成到HMC8205BF10中。
HMC8205BF10非常適合脈沖或連續(xù)波(CW)應(yīng)用,如軍用干擾發(fā)射器、無線基礎(chǔ)設(shè)施、雷達和通用放大。
HMC8205BF10放大器采用10引腳陶瓷芯片載體(LDCC)封裝。
HMC8205BCHIPS是一款氮化鎵(GaN)、寬帶功率放大器,在瞬時帶寬范圍為0.4 GHz至6 GHz時提供45.5 dBm (35 W)功率和40%功率附加效率(PAE)。無需外部匹配便可實現(xiàn)全頻段工作。無需外部電感便可實現(xiàn)放大器偏置。此外,RFIN和RFOUT引腳的隔直電容集成到HMC8205BCHIPS中。
HMC8205BCHIPS非常適合脈沖或連續(xù)波(CW)應(yīng)用,如軍用干擾發(fā)射器、無線基礎(chǔ)設(shè)施、雷達和通用放大。
應(yīng)用
- 軍用干擾發(fā)射器
- 商用和軍事雷達
- 針對無線基礎(chǔ)設(shè)施的功率放大器級
- 測試與測量設(shè)備
- 高 PSAT:46 dBm
- 高功率增益:20 dB
- 高 PAE:38%
- 瞬時帶寬:0.3 GHz 到 6 GHz
- 電源電壓:VDD = 50 V,1300 mA
- 10 引腳 LDCC 封裝
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