--- 產品詳情 ---
用于驅動背對背 NFET 的 3V 至 65V、汽車理想二極管控制器
Vin (Min) (V) | 3 |
Vin (Max) (V) | 65 |
Number of channels (#) | 2 |
Features | Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
Iq (Typ) (mA) | 0.412 |
Iq (Max) (mA) | 0.495 |
FET | External back-to-back FET |
IGate source (Typ) (uA) | 20000 |
IGate sink (Typ) (mA) | 2670 |
IGate pulsed (Typ) (A) | 2.6 |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
VSense reverse (Typ) (mV) | -4.5 |
Design support | EVM, Simulation Model |
Rating | Automotive |
VGS (Max) (V) | 15 |
- 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
- 器件溫度等級 1: –40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級 2
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
- 3V 至 65V 輸入范圍
- 反向輸入保護低至 –65V
- 在共漏極和共源極配置下,可驅動外部背對背 N 溝道 MOSFET
- 10.5mV 陽極至陰極正向壓降調節下,理想二極管正常運行 (LM74800-Q1)
- 低反向檢測閾值 (–4.5mV),能夠快速響應 (0.5μs)
- 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導通電流
- 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
- 可調節過壓保護
- 2.87μA 低關斷電流(EN/UVLO = 低電平)
- 采用合適的 TVS 二極管,符合汽車 ISO7637 瞬態要求
- 采用節省空間的 12 引腳 WSON 封裝
LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET,從而模擬具有電源路徑開/關控制和過壓保護的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管,以實現反向輸入保護和輸出電壓保持。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下,該器件允許負載斷開(開/關控制)并使用 HGATE 控制提供過壓保護。該器件具有可調節過壓切斷保護功能。LM7480-Q1 有兩種型號:LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用線性穩壓和比較器方案來實現反向電流阻斷功能,而 LM74801-Q1 支持基于比較器的方案。通過功率 MOSFET 的共漏極配置,可以使用另一個理想二極管將中點用于 OR-ing 設計。LM7480x-Q1 的最大額定電壓為 65V。通過在共源極拓撲中為器件配置外部 MOSFET,可以保護負載免受過壓瞬態(例如 24V 電池系統中未抑制的 200V 負載突降)的影響。
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