抗輻射、1.6V 至 5.5V 輸入、1.25A 負載開關
| Number of channels (#) | 1 |
| Vin (Min) (V) | 1.6 |
| Vin (Max) (V) | 5.5 |
| Imax (A) | 1.25 |
| Ron (Typ) (mOhm) | 90 |
| Shutdown current (ISD) (Typ) (uA) | 0.002 |
| Quiescent current (Iq) (Typ) (uA) | 8 |
| Soft start | Fixed Rise Time |
| Rise time (Typ) (us) | 1280 |
| Current limit type | Fixed |
| Features | Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown |
| Operating temperature range (C) | -55 to 125 |
- 提供供應商項目圖，VID V62/22609
- 電離輻射總劑量 (TID) 為 30krad(Si)
- 每個晶圓批次的 TID RLAT（輻射批次驗收測試）：20krad (Si)
- 確定了單粒子效應 (SEE)
- 單粒子閂鎖 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于有效線性能量傳遞 (LETEFF) 的抗擾度為 43MeV–cm2/mg。
- 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 對于 LETEFF 的額定抗擾度為 43MeV–cm2/mg。
- 輸入電壓范圍 (VIN)：1.6 至 5.5V
- 建議持續電流 (IMAX)：1.25A
- 導通電阻 (RON)
- VIN = 5V 時典型值為 116m?
- VIN = 3.3V 時典型值為 115m?
- VIN = 1.8V 時典型值為 133m?
- 輸出短路保護 (ISC)：3A（典型值）
- 低功耗：
- 導通狀態 (IQ)：8.3μA（典型值）
- 關閉狀態 (ISD)：3nA（典型值）
- 可限制浪涌電流的慢速導通時序 (tON)：
- 5V 時的 tON：3.61mV/μs 下為 1.68ms
- 3.3V 時的 tON：2.91mV/μs 下為 1.51ms
- 1.8V 時的 tON：2.15mV/μs 下為 1.32ms
- 可調節輸出放電和下降時間：
- VIN = 3.3V 時內部 QOD 電阻= 9.2Ω（典型值）
- 增強型航天塑料 (SEP)
- 受控基線
- 金鍵合線
- NiPdAu 鉛涂層
- 一個組裝和測試基地
- 一個制造基地
- 軍用級（-55°C 到 125°C）溫度范圍
- 延長了產品生命周期
- 延長了產品變更通知 (PCN)
- 產品可追溯性
- 采用增強型塑封實現低釋氣
TPS7H2221-SEP 器件是一款壓擺率可控的小型單通道負載開關。此器件包含一個可在 1.6V 至 5.5V 輸入電壓范圍內運行的 N 溝道 MOSFET，并且支持 1.25A 的最大持續電流。
開關導通狀態由數字輸入控制，此輸入可與低壓控制信號直接連接。首次加電時，此器件使用智能下拉電阻來保持 ON 引腳不懸空，直到系統定序完成。按計劃將該引腳驅動為高電平 (VON>VIH) 之后，便會斷開智能下拉電阻，以防止不必要的功率損耗。
TPS7H2221-SEP 負載開關也具有自保護特性，因此可保護自己免受輸出短路事件的影響。
TPS7H2221-SEP 采用標準 SC-70 封裝，工作環境溫度范圍為 -55°C 至 125°C。
