采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
。最大 RθJC = 1.2°C/W，脈沖持續時間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 1.5 |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 1.15 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 400 |
| QG typ (nC) | 39 |
| QGD typ (nC) | 9.3 |
| QGS typ (nC) | 14.4 |
| Package (mm) | SON5x6 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 1.4 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 257 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | Yes |
- 極低電阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低熱阻
- 雪崩級
- 無鉛端子鍍層
- 符合 RoHS 標準
- 無鹵素
- 小外形尺寸無引線 (SON) 5mm x 6mm 塑料封裝
應用范圍
- 網絡互聯、電信和計算系統中的負載點同步降壓
- 同步整流
- 有源或操作 (ORing) 和熱插拔應用
這款 30V，0.95mΩ，5mm × 6mm SON 封裝 NexFET 功率 MOSFET 設計用于大大降低同步整流和其它功率轉換應用中的損耗。
頂視圖 要了解所有可用封裝，請見數據表末尾的可訂購產品附錄。 RθJA = 40°C/W，這是在厚度為 0.06 英寸 (1.52 mm) 的環氧板 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2)，2 盎司（厚度為 0.071 mm）的銅過渡墊片上測得的典型值。最大 RθJC = 1.2°C/W，脈沖持續時間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
