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TIMOSFETCSD19533Q5A

--- 產(chǎn)品詳情 ---

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) 100
Configuration Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 9.5
IDM - pulsed drain current (Max) (A) 231
QG typ (nC) 27
QGD typ (nC) 4.9
QGS typ (nC) 7.9
Package (mm) SON5x6
VGS (V) 20
VGSTH typ (V) 2.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 75
ID - package limited (A) 100
Logic level No

這款 100V，7.8mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。

頂視圖 要了解所有可用封裝，請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。 RθJA= 40°C/W，這是在一個厚度 0.06 英寸環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的銅過渡墊片上測得的典型值
。最大 RθJC = 1.3°C/W，持續(xù)時間 ≤100μs，占空比 ≤1%

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