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TIMOSFETCSD17570Q5B

--- 產(chǎn)品詳情 ---

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.92mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) 30
Configuration Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 0.92
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 0.69
IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400
QG typ (nC) 93
QGD typ (nC) 34
QGS typ (nC) 27
Package (mm) SON5x6
VGS (V) 20
VGSTH typ (V) 1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 407
ID - package limited (A) 100
Logic level Yes

這款 30V，0.56mΩ，SON 5mm × 6mmNexFET?功率 MOSFET 旨在最大限度地減小 ORing 和熱拔插應用的 電阻， 不可用于開關 應用。

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