采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、32.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -8 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 32.5 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 45.5 |
| Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) | 92 |
| Id peak (Max) (A) | -41 |
| Id max cont (A) | -3 |
| QG typ (nC) | 3.3 |
| QGD typ (nC) | 0.5 |
| QGS typ (nC) | 0.7 |
| VGSTH typ (V) | -0.8 |
| Package (mm) | WLP 1.0x1.5 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 3 |
| Logic level | Yes |
- 超低 Qg 和 Qgd
- 小封裝尺寸
- 低高度（高度為 0.62mm）
- 無鉛
- 符合 RoHS 環保標準
- 無鹵素
- 芯片級封裝 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圓級封裝
應用范圍
- 電池管理
- 負載開關
- 電池保護
這款 27mΩ，20V P 通道器件設計用于在超薄且具有出色散熱特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封裝內提供最低的導通電阻和柵極電荷。
頂視圖 要了解所有可用封裝，請見數據表末尾的可訂購產品附錄。 器件在 105oC 溫度下運行RθJA 典型值 = 165°C/W，脈寬 ≤100μs，占空比 ≤1%
