采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -8 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 9.9 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 15 |
| Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) | 40 |
| Id peak (Max) (A) | -71 |
| Id max cont (A) | -7.4 |
| QG typ (nC) | 6.5 |
| QGD typ (nC) | 1 |
| QGS typ (nC) | 1.2 |
| VGSTH typ (V) | -0.7 |
| Package (mm) | LGA 1.2x1.2mm |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 7.4 |
| Logic level | Yes |
這款 -8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件設計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內提供更低的導通電阻和柵極電荷。基板柵格陣列 (LGA) 封裝是一種帶有金屬接觸板（而非焊球）的器件芯片級封裝。
