具有反向電流保護和使能功能的 1A 超低壓降穩壓器
| Output options | Adjustable Output, Fixed Output |
| Iout (Max) (A) | 1 |
| Vin (Max) (V) | 5.5 |
| Vin (Min) (V) | 2.2 |
| Vout (Max) (V) | 5.4 |
| Vout (Min) (V) | 1.2 |
| Fixed output options (V) | 1.8, 2.5, 3, 3.3, 3.4 |
| Noise (uVrms) | 48 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.4 |
| Thermal resistance θJA (°C/W) | 50 |
| Rating | Catalog |
| Load capacitance (Min) (μF) | 1 |
| Regulated outputs (#) | 1 |
| Features | Enable, Foldback overcurrent protection, Reverse current protection |
| Accuracy (%) | 3 |
| PSRR @ 100 KHz (dB) | 33 |
| Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV) | 130 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 與 1μF 或更大的陶瓷輸出電容器搭配使用時可保持穩定
- 輸入電壓范圍：2.2V 至 5.5V
- 超低壓降：1A 時典型值為 130mV
- 即使使用僅為 1μF 的輸出電容器，也能實現出色的負載瞬態響應
- NMOS 拓撲結構可提供低反向泄漏電流
- 初始精度為 1%
- 在線路、負載和溫度范圍內總精度為 3%
- 關斷模式下，IQ 典型值小于 20nA
- 熱關斷和電流限制可實現故障保護
- 提供多個輸出電壓版本
- 可調節輸出：1.20V 至 5.5V
- 使用工廠封裝級編程，可提供定制輸出
TPS737xx 系列線性低壓降 (LDO) 穩壓器在電壓跟隨器配置中使用了 NMOS 旁路元件。該拓撲結構對輸出電容值和等效串聯電阻 (ESR) 的敏感度相對較低，從而實現多種負載配置。負載瞬態響應出色，即使與 1μF 小型陶瓷輸出電容搭配工作時也是如此。NMOS 拓撲結構也可實現超低壓降。
TPS737xx 系列利用先進的 BiCMOS 工藝實現高精度，同時提供超低的壓降和低接地引腳電流。未啟用時的電流消耗小于 20nA，適用于便攜式 應用。這些器件受到熱關斷和折返電流限制的保護。
對于要求更高輸出電壓精度的 應用 ，請考慮 TI 的 TPS7A37xx 系列 1% 總精度、1A 低壓降穩壓器。
