| Number of channels (#) | 1 |
| Isolation rating (Vrms) | 5700 |
| Power switch | IGBT |
| Peak output current (A) | 5 |
| DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) | 8000 |
| DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) | 2121 |
| Output VCC/VDD (Max) (V) | 30 |
| Output VCC/VDD (Min) (V) | 15 |
| Input VCC (Min) (V) | 3 |
| Input VCC (Max) (V) | 5.5 |
| Prop delay (ns) | 76 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 12 |
- 在 VCM = 1500V 時，共模瞬態抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100kV/μs
- 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
- 短暫傳播延遲：76ns（典型值），
110ns（最大值） - 2A 有源米勒鉗位
- 輸出短路鉗位
- 在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發出故障報警并通過 RST 復位
- 具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
- 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認輸出低電平
- 3V 至 5.5V 輸入電源電壓
- 15V 至 30V 輸出驅動器電源電壓
- 互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 兼容輸入
- 抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態噪聲
- 工作環境溫度范圍：-40°C 至 +125°C
- 可承受的浪涌隔離電壓達 12800VPK”
- 安全相關認證：
- 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標準的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增強型隔離
- 符合 UL 1577 標準且長達 1 分鐘的 5700 VRMS 隔離
- CSA 組件驗收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設備標準
- 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標準的 TUV 認證
- GB4943.1-2011 CQC 認證
ISO5851 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增強型隔離柵極驅動器，具有 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 3V 至 5.5V 的單電源供電運行。輸出側支持的電源電壓范圍為 15V 至 30V。兩路互補 CMOS 輸入控制柵極驅動器輸出狀態。76ns 的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。
內置的去飽和 (DESAT) 故障檢測功能可識別 IGBT 何時處于過載狀態。當檢測到 DESAT 時，柵極驅動器輸出會被拉低為 VEE2 電勢，從而將 IGBT 立即關斷。
當發生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。FLT 的輸出狀態將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復位。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態條件下發生動態導通。
當發生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。FLT 的輸出狀態將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復位。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態條件下發生動態導通。
柵極驅動器是否準備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制，這兩個電路會監視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會變為低電平；否則，該輸出為高電平。
ISO5851 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝。此器件的額定工作環境溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。
