具有禁用可編程死區時間和 8V UVLO 的汽車類 3.0kVrms 4A/6A 雙通道隔離式柵極驅動器
| Number of channels (#) | 2 |
| Isolation rating (Vrms) | 3000 |
| Power switch | GaNFET, IGBT, MOSFET |
| Peak output current (A) | 6 |
| DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) | 4242 |
| DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) | 990 |
| Output VCC/VDD (Max) (V) | 18 |
| Output VCC/VDD (Min) (V) | 9.2 |
| Input VCC (Min) (V) | 3 |
| Input VCC (Max) (V) | 5.5 |
| Prop delay (ns) | 25 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 8 |
- 具有符合 AEC Q100 標準的下列特性：
- 器件溫度 1 級
- 器件人體放電模式 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級 H2
- 器件 CDM ESD 分類等級 C6
- 結溫范圍為 –40°C 至 150°C
- 可通過電阻器編程的死區時間
- 通用：雙路低側、雙路高側或半橋驅動器
- 4A 峰值拉電流、6A 峰值灌電流輸出
- 3V 至 5.5V 輸入 VCCI 范圍
- 高達 18V 的 VDD 輸出驅動電源
- 8V VDD UVLO
- 開關參數：
- 28ns 典型傳播延遲
- 10ns 最小脈沖寬度
- 5ns 最大延遲匹配度
- 5.5ns 最大脈寬失真
- TTL 和 CMOS 兼容輸入
- 集成抗尖峰濾波器
- I/O 承受 –2V 電壓的時間達 200ns
- 共模瞬態抗擾度 (CMTI) 大于 100V/ns
- 隔離柵壽命大于 40 年
- 浪涌抗擾度高達 7800VPK
- 窄體 SOIC-16 (D) 封裝
- 安全相關認證（計劃）：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 標準的 4242VPK 隔離
- 符合 UL 1577 標準且長達 1 分鐘的 3000VRMS 隔離
- 獲得 CSA 認證，符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1 和 IEC 61010-1 終端設備標準
- 通過 GB4943.1-2011 CQC 認證
UCC21222-Q1 器件是具有可編程死區時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅動器。該器件在極端溫度條件下表現出一致的性能和穩定性。該器件采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流來驅動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。
UCC21222-Q1 器件可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。該器件的 5ns 延遲匹配性能允許并聯兩個輸出，能夠在重負載條件下將驅動強度提高一倍，而無內部擊穿風險。
輸入側通過一個 3.0kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離，共模瞬態抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100V/ns。
可通過電阻器編程的死區時間可讓您調整系統限制的死區時間，從而提高效率并防止輸出重疊。其他保護 特性 包括：當 DIS 設置為高電平時，通過禁用功能同時關閉兩路輸出；集成的抗尖峰濾波器可抑制短于 5ns 的輸入瞬變；以及在輸入和輸出引腳上對高達 -2V 的尖峰進行 200ns 的負電壓處理。所有電源都有 UVLO 保護。
