增強型產品 DDR1、DDR2、DDR3 轉換開關和 LDO
| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 |
| Control mode | Current Mode, D-CAP, S4/S5 |
| Iout VDDQ (Max) (A) | 25 |
| Iout VTT (Max) (A) | 3 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.8 |
| Output | VDDQ, VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 28 |
| Features | Complete Solution, Shutdown Pin for S3 |
| Rating | HiRel Enhanced Product |
- 同步降壓控制器 (VDDQ)
- 寬輸入電壓范圍: 3.0V 至 28V
- 負載階躍響應為 100ns 的 D?CAP? 模式
- 電流模式選項支持陶瓷輸出電容器
- 支持 S4/S5 狀態內的軟關閉
- RDS（接通）或電阻器的電流感測
- 2.5V (DDR)，1.8V (DDR2)，可調節至
1.5V (DDR3) 或 1.2V (LPDDR3) 或
0.75V 至 3.0V 的輸出電壓范圍 - 配備有電源正常、過壓保護和欠壓保護
- 1A LDO (VTT)，經緩沖基準 (VREF)
- 灌電流和拉電流的能力達到 1A
- 提供 LDO 輸入以優化功率損耗
- 只需 20μF 陶瓷輸出電容器
- 經緩沖的低噪聲 10mA VREF 輸出
- 針對 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
- 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持軟關閉
- 過熱保護
TPS51116 為 DDR/SSTL-2，DDR2/SSTL-18，DDR3/SSTL-15 和 LPDDR3 內存系統提供一個完整的電源。 它集成了一個具有 1A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩壓器和經緩沖低噪聲基準的同步降壓控制器。 TPS51116 在空間非常寶貴的系統中提供最低的總體解決方案成本。 TPS51116 同步控制器運行具有自適應接通時間控制的定頻 400kHz，偽恒定頻率脈寬調制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 模式中進行配置，此模式可簡化使用并實現最快瞬態響應或者在電流模式中支持陶瓷輸出電容器。 1A 灌電流/拉電流 LDO 只需 20μF (2 × 10μF) 陶瓷輸出電容器即可保持快速瞬態響應。 此外，LDO 電源輸入是外部可用的，這樣可大大減少總體功耗。 TPS51116 支持所有睡眠狀態控制，此類控制在 S3（掛起到 RAM）中將 VTT 置于 high-Z 狀態并且在 S4/S5（掛起到硬盤）中將 VDDQ，VTT 和 VTTREF（軟關閉）放電。 TPS51116 具有所有保護特性，其中包括熱關斷并采用 20 引腳散熱薄型小外形尺寸 (HTSSOP) PowerPAD 封裝。
